КП Технология производства


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте файл и откройте на своем компьютере.
МЧнЧстерство о р зов нЧя РФ МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ НАЦИ НАЛЬНДЙ ИССЛЕД АТЕЛЬС ИЙ УНИ ЕРСИТ ЕТ едр № 307 « Те нологЧЧ прЧ оростроенЧя » урсовой прое т по урсу « Те нологЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ » « ГЧ рЧдные Чнтегр льные мЧ рос емы » ыполнЧл студент группы 03 - 402 Петенёв Е ПрЧнял Со ольс Чй М Л Мос в 2012 год Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 2 1 гл вленЧе 2 ЗАДАНИЕ НА УРС Е ПР Е ТИР АНИЕ 3 2.1 Объект проектирования 3 2.2 ехнические требования 3 2.3 Исходные данные для проектирования 3 3 АНАЛИЗ ИСХ ДНДХ ДАНН ДХ И НСТРУ ТИ НДХ С БЕНН СТЕЙ П СТР ЕНИЯ ГИС 4 4 РАСЧЁТ ЭЛЕМЕНТ 6 4.1 Резисторы 6 4.1.1 Резистор R1 6 4.1.2 Резистор R2 и R3 7 4.1.3 Резистор R4 8 4.1.4 Сводная таблица параметров резисторов 8 4.2 ран зисторы 9 4.3 Диоды 10 5 ДБ Р РАЗМЕРА П ДЛ Ж И И РПУСА ГИС 11 6 ТЕХН Л ГИЯ ИЗГ Т ЛЕ НИЯ Т ЛСТ ПЛЁН ЧН Й ГИС 12 7 МАРГ РУТ ИЗГ Т ЛЕНИЯ ГИС 13 8 СПИС ИСП ЛЬЗ АНН Й ЛИТЕРАТУРД 15 Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 3 2 ЗАДАНИЕ НА УРС Е ПР Е ТИР АНИЕ 2.1 ъе т прое тЧров нЧя ыполняется прое тЧров нЧе дЧ еренцЧ льного усЧлЧтеля н зе ле тронного мост с n - p - n ЧполярнымЧ тр нзЧстор мЧ Устройство предн зн ено для построенЧя усЧлЧтелей с непосредственнымЧ связямЧ между с д мЧ Рисунок 2 . 1 . Принципиальная электрическая схема. 2.2 Те нЧ ес Че тре ов нЧя МЧ рос ем должн соответствов ть о щЧм те нЧ ес Чм тре ов нЧям Ч удовлетворять следующЧм условЧямЦ 1. повышенн я предельн я темпер тур +85 С 2. Чнтерв л р о Ч темпер тур - 20 С ÷ +30 С 3. время р оты – 5000 сов 4. вЧ р цЧя с стотой 5 ÷ 200 Гц 5. мЧнЧм льное ус оренЧе 4 G; 6. лЧнейное ус оренЧе до 50 G . 2.3 Ис одные д нные для прое тЧров нЧя 1. Те нологЧ ес Чй процесс р зр от ть для серЧйного проЧзводств с о ъёмом выпус – 10000 шту 2. онстру цЧю ГИС выполнЧть в соответствЧЧ с прЧнцЧпЧ льной ле трЧ ес ой с емой с прЧм ененЧем толстоплёно ной те нологЧЧ в одном орпусе 3. Н пряженЧе Чсто нЧ пЧт нЧя – 24 ±10 аблица 1 . Значения параметров элементов схемы. ПозЧцЧонное о озн енЧе Н Чменов нЧе олЧ ество ПрЧме нЧе R1 РезЧстор 3 3 м ±10 1 P = 2,4 м т R2, R3 РезЧстор 3 м ±10 2 P = 2 м т R4 РезЧстор 18 м ±10 1 P = 0 6 м т VT1, VT3 Тр нзЧстор Т331А 2 P = 1 м т I = 0 7 мА VT2 Тр нзЧстор Т607А 1 P = 3 м т I = 1 7 мА VD1 ДЧод 2Д103А 1 P = 8 м т Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 4 3 АНАЛИЗ ИСХ ДНДХ ДАНН ДХ И НСТРУ ТИ НДХ С БЕ НН СТЕЙ П СТР ЕНИЯ ГИС ы ор той ЧлЧ Чной те нологЧЧ осуществляется Чс одя Чз следующЧ о щЧ свойств процессовЦ 1. сновное преЧмущество толстоплёно ной те нологЧЧ – простот прЧменяемого о орудов нЧя Ч нЧз я стоЧмость проЧзводств Толс топлёно н я те нологЧя позволяет р спол г ть лементы н о еЧ сторон пл ты соедЧненЧя между лемент мЧ р сположеннымЧ н р зны сторон осуществляются ерез отверстЧя ЧлЧ внешнЧе онт тные площ д Ч Сумм рн я площ дь лементов н одном уровне не дол жн превыш ть 70 площ дЧ стороны пл ты 2. То ность полу енЧя лементов с помощью тон оплёно ной те нологЧЧ существенно выше ем с помощью толстоплёно ной То ность выполненЧя лЧнейны р змеров ݈ Ч ܾ сост вляетЦ  для тон оплёно ны ГИС ±10м м  для толсто плёно ны – ±50м м 3. Целесоо р зность прЧмененЧя той ЧлЧ Чной те нологЧЧ з вЧсЧт т же от м сшт выпус мЧ рос ем М со ный метод прЧменяют в мел осерЧйном Ч серЧйном проЧзводстве достЧжЧм я то ность того метод – ±1 Толстоплёно н я те нологЧя может ыть прЧменен во все тЧп проЧзводств 4. жд я пл т мЧ рос емы должн Чметь лю оторым является нЧжняя лев я онт тн я площ д с вырезом по ольшей стороне пл ты ЧлЧ спецЧ льный зн в вЧде треугольнЧ ЧлЧ прямоугольнЧ 5. Н весные омпоненты ре о мендуется прЧменять с одЧн овымЧ р змер мЧ Ч м терЧ лом выводов Ч р спол г ть ряд мЧ п р ллельнымЧ сторон м пл ты 6. Не допус ется уст нов омпонентов н плёно ные онденс торы Чнду тЧвностЧ Ч пересе енЧя проводов Допус ется уст нов толь о н плёно ные резЧсторы Ч проводнЧ Ч з щЧщённые дЧ ле трЧ ом ы аблица 2 . опологические характеристики ГИС. МЧнЧм льно допустЧмый р змер резЧстор ܾ 0 8 мм ݈ 0 8 мм МЧнЧм льно допустЧмые р сстоянЧя между плёно нымЧ лемент мЧ р сположеннымЧ в одном слое ܽ 0 , 3 мм М сЧм льно допустЧмое соотношенЧе р змеров ݈ ܾ - МЧнЧм льное р сстоянЧе от плёно ны лементов до р я пл ты ݀ 0 1 мм елЧ Чн пере рытЧя для совмещенЧя плёно ны лементов р сположенны в р зны слоя ݈ 0,1 мм МЧнЧм льно допустЧмое р сстоянЧе между плёно нымЧ лемент мЧ р сположеннымЧ в р зны слоя ܿ 0 4 мм МЧнЧм льно допустЧмое р сстоянЧе между р ем плёно ного резЧстор Ч р ем его онт тной площ д Ч ݆ 0 , 2 мм МЧнЧм льн я шЧрЧн плёно ны проводнЧ ов ݅ 0 15 мм МЧнЧм льные р змеры онт тны площ до для монт ж н весны омпонентов ݉ ൈ ݊ 0 2 ൈ 0 1 мм МЧнЧм льные р змеры онт тны площ до для онтроля ле трЧ ес Ч п р метров 0 4 ൈ 0 4 мм МЧнЧм льное р сстоянЧе от р я н весного омпонент  до р я пл ты  до р я другого омпонент  до р я онт тной площ д Ч предн зн енной для прЧв р Ч проволо ны выводов  до проволо ного проводнЧ ݍ ݎ ݏ 0,4 мм 0 ,4 мм 0 4 мм 0 3 мм МЧнЧм льные р змеры онт тны площ до для прЧв р Ч Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 5 проволо ны выводов н весны омпонентов прЧ дЧ метре проволо Ч  30 м м для одного проводнЧ  30 м м для дву проводнЧ ов  30 м м для трё проводнЧ ов  50 м м для одного проводнЧ  50 м м для дву проводнЧ ов  50 м м для трё проводнЧ ов 0 15 ൈ 0 1 мм 0 2 ൈ 0 2 мм 0 2 ൈ 0 3 мм 0 25 ൈ 0 2 мм 0 3 ൈ 0 3 мм 0 3 ൈ 0 5 мм естве м терЧ л подлож Ч вы ерем сЧт лл СТ50 - 1 тЧ ес Че р змеры пл ты удут вы р ны после р с ёт все плёно ны лементов Ч р зр от Ч топологЧ ес ого ертеж Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 6 4 РАСЧЁТ ЭЛЕМЕНТ 4.1 РезЧсторы Для оптЧмЧз цЧЧ те нологЧ ес ого процесс проЧзводств ГИС о ъедЧнЧм все резЧсторы в одну группу с одной резЧстЧвной плён ой Р сс Чт ем оптЧм льное сопротЧвленЧе в др т резЧстЧвной плён ЧЦ ௦ опт √ ∑ ܴ ∑ 1 ܴ √ 3300 ൅ 3000 ൅ 3000 ൅ 18000 2 3000 ൅ 1 3300 ൅ 1 18000 ൎ 5160 2 [ м ] Для полу енного зн енЧя ௦ опт под одЧт резЧстЧвн я п ст ПР - 6 : ௦ 6 м ௥ 8 10 ସ гр д ଵ ଴ 3 т с м ଶ Для подтвержденЧя прЧгодностЧ вы р нного м терЧ л р сс Чт ем погрешность о ЧцЧент ормы Для того сн л вы ЧслЧм темпер турную погрешн ость ௧ ௥ ( ܶ െ 20 ) 100 8 10 ସ ( 30 െ 20 ) 0 8 Т Чм о р зом о щ я относЧтельн я погрешность ЧзготовленЧяЦ െ ௦ െ ௧ െ ст െ 10 െ 1 െ 0 8 െ 1 െ 1 6 2 З метЧм то все резЧсторы , сост вляющЧе о ъе т , Чмеют одЧн овую прое тЧруемую пог решность ±10 по тому нет нужды р сс Чтыв ть для ждого резЧстор в отдельностЧ Т полу енн я погрешность ൐ 0 , то вы р нный м терЧ л прЧгоден для ЧзготовленЧя резЧсторов с з д нной то ностью Н йдём о ЧцЧенты ормы резЧсторовЦ ܴ ௦ ( 0 55 0 5 0 5 3 ) Т все о ЧцЧенты леж т в дЧ п зоне [ 0 1 10 ] , резЧсторы должны ыть выполнены в прямоугольной орме МЧнЧм льн я длЧн о л стЧ вз Чмного пере рытЧяЦ ݈ 1 5 √ ௦ 1 5 √ 0 25 6000 0 01 Г г сет Ч р вен 1 мм в м сшт е 20Ц1 Чз его следует то мЧнЧм льный ре льный ш г сет Ч р вен 0 05 мм се вы Чсленные простр нственные зн енЧя лементов удет нео одЧмо о руглЧть до того ш г 4.1.1 РезЧстор R1 о ЧцЧент ормы ଵ 0 55 ൏ 1 следов тельно сн л р сс Чт ем длЧну резЧстор ݈ р с ଵ  ( ݈ те н ݈ то нଵ ݈ ଵ ) ݈ то нଵ ݈ ൅ ܾ ଵ 0 05 ൅ 0 05 0 55 0 112 1 25 [ мм ] Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 7 ݈ ଵ √ ଵ ଵ ଴ √ 2 4 0 55 10 ଷ 3 10 ଶ 0 21 [ мм ] С у ётом того то ݈ те н 0 8 мм полу Чм ݈ р с ଵ 1 25 мм . Полн я длЧн лемент с у ётом онт тны дороже Ц ݈ ଵ ݈ р с ଵ ൅ 2 ݈ 1 25 ൅ 2 0 01 1 269 1 3 [ мм ] ГЧрЧн Ч площ дь лемент Ц ܾ ଵ ݈ р с ଵ ଵ 1 3 0 55 2 273 2 3 [ мм ] ܵ ଵ ݈ ଵ ܾ ଵ 1 3 2 3 2 99 [ м м ଶ ] ПроверЧм допустЧмость р сс Чт нного лемент Ц удельн я мощность р ссеЧв нЧя погрешность о ЧцЧент ормы Ч сумм рный допус не должны превыш ть допустЧмы зн енЧй ଴ ଵ ܵ ଵ 2 44 10 ଷ 2 99 0 8 [ м т м м ଶ ] 30 [ м т м м ଶ ] ଴ ݈ ݈ ଵ ൅ ܾ ܾ ଵ 0 05 1 3 ൅ 0 05 2 3 0 0602 100 6 02 ൏ 6 2 ൅ ௧ ൅ ௦ ൅ ст ൅ 1 ൅ 0 8 ൅ 1 ൅ 1 ൅ 6 02 9 82 ൏ 10 можно у е дЧться все условЧя выполняются н йденные п р метры резЧстор удовлетворЧтельны 4.1.2 РезЧстор R2 Ч R3 Ан логЧ но резЧстору R 1 н йдём п р метры резЧстор R 2 Ч R 3 ( т онЧ одЧн овы) . ଶ ൏ 1 – н Чн ем с р с ёт длЧны ݈ р с ଶ  ( ݈ те н ݈ то нଶ ݈ ଶ ) ݈ то нଶ ݈ ൅ ܾ ଵ 0 05 ൅ 0 05 0 5 0 112 1 21 [ мм ] ݈ ଵ √ ଶ ଶ ଴ √ 2 0 5 10 ଷ 3 10 ଶ 0 183 [ мм ] С у ётом того то ݈ те н 0 8 мм полу Чм ݈ р с ଶ 1 21 1 25 мм . Полн я длЧн лемент с у ётом онт тны дороже Ц ݈ ଶ ݈ р с ଶ ൅ 2 ݈ 1 21 ൅ 2 0 01 1 23 1 25 [ мм ] ГЧрЧн Ч площ дь лемент Ц ܾ ଶ ݈ р с ଶ ଶ 1 25 0 5 2 5 [ мм ] ܵ ଶ ݈ ଶ ܾ ଶ 1 25 2 5 3 125 [ м м ଶ ] ПроверЧм удовлетворЧтельность р сс Чт нны лементовЦ Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 8 ଴ ଶ ܵ ଶ 2 10 ଷ 3 125 0 64 [ м т м м ଶ ] 30 [ м т м м ଶ ] ଴ ݈ ݈ ଶ ൅ ܾ ܾ ଶ 0 05 1 25 ൅ 0 05 2 5 6 ൏ 6 3 ൅ ௧ ൅ ௦ ൅ ст ൅ 1 ൅ 0 8 ൅ 1 ൅ 1 ൅ 6 9 8 ൏ 10 УсловЧя выполнены лементы р сс Чт ны удовлетворЧтельно 4.1.3 РезЧстор R4 о ЧцЧент ормы резЧстор ସ 3 ൐ 1 – сн л р сс Чт ем шЧрЧну ܾ р с ସ  ( ܾ те н ܾ то нସ ܾ ସ ) ܾ то нସ ݈ ൅ ܾ ସ 0 05 ൅ 0 05 3 0 112 1 075 [ мм ] ܾ ସ √ ସ ଴ ସ √ 0 6 10 ଷ 3 10 ଶ 3 0 082 [ мм ] С у ётом того то ܾ те н 0 8 мм полу Чм ܾ р с ସ 1 075 1 1 мм . Р с ётн я Ч полн я длЧн лемент Ц ݈ р с ସ ܾ р с ସ ସ 1 075 3 3 226 3 25 [ мм ] ݈ ସ ݈ р с ସ ൅ 2 ݈ 3 226 ൅ 2 0 01 3 245 3 25 [ мм ] Площ дьЦ ܵ ସ ݈ ସ ܾ ସ 3 25 1 1 3 575 [ м м ଶ ] ПроверЧм удовлетворЧтельность р сс Чт нного лемент Ц ଴ ସ ܵ ସ 0 6 10 ଷ 3 575 0 17 [ м т м м ଶ ] 30 [ м т м м ଶ ] ଴ ݈ ݈ ସ ൅ ܾ ܾ ସ 0 05 3 25 ൅ 0 05 1 1 6 08 ൏ 6 3 ൅ ௧ ൅ ௦ ൅ ст ൅ 1 ൅ 0 8 ൅ 1 ൅ 1 ൅ 6 08 9 884 ൏ 10 УсловЧя выполнены лементы р сс Чт ны удовлетворЧтельно 4.1.4 Сводн я т лЧц п р метров резЧсторов ПозЧцЧонное о озн енЧе НомЧн л п огрешность Мощность P м т о ЧцЧент ормы ДлЧн l , мм ГЧрЧн b , мм Полн я длЧн мм R1 3,3 м ± 10% 2,4 0,55 1,3 2,3 1,3 R2, R3 3 м ±10 2 0,5 1,25 2,5 1,25 R4 18 м ±10 0,6 3 3,25 1,1 3,25 Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 9 4.2 Тр нзЧсторы ПозЧцЧонное о озн енЧе ТЧп тр нзЧстор ЧлЧ м трЧцы Стру тур т МГц ܷ , , мА пФ , м т ݄ ଶଵ Интерв л р о Ч темпер тур о С М сс (не олее) г VT1, VT3 Т331А n - p - n 250 15 20 5 15 20 - 60 - 60 ÷ +125 3 VT2 Т607А n - p - n 700 40 150 4 1000 -- - 55 ÷ +100 1 аблица 3 . Чертежи кристаллов транзисторов. Т331А Т607А Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 10 4.3 ДЧоды ПозЧцЧонное о озн енЧе ТЧп дЧод ܷ пр прЧ пр = 50 мА о р м А о р мА пр мА Интерв л р о Ч темпер тур о С рЧ нт уст нов Ч н подлож е М сс (не олее) г VD1 2 Д103А 1,0 1,0 75 100 - 55 ÷ +100 I 0,1 2Д103А Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 11 5 ДБ Р РАЗМЕРА П ДЛ Ж И И РПУСА ГИС аблица 4 . Сводная таблица размеров элементов. ПозЧцЧонное о озн енЧе ДлЧн мм ГЧрЧн мм ДлЧн 20 (в м сшт е) , мм ГЧрЧн 20 (в м сшт е) , мм Площ дь мм 2 R1 1,3 2,3 26 46 2,99 R2 , R3 1,25 2,5 25 50 3,125 R4 3,25 1,1 65 22 3,575 VT1 , VT3 1 ,2 1,2 24 24 1,44 VT2 0,5 0,3 10 6 0,15 VD1 3 2 60 40 6 17,28 Н йдём мЧнЧм льную нео одЧмую площ дь подлож Ч ГИС прЧ о ЧцЧенте Чспользов нЧя пл ты ௦ 0 5 : ܵ п ܵ ௦ 17 28 0 5 34 56 [ м м ଶ ] З д нной потре ной пло щ дЧ подлож Ч ГИС н Ч олее соответству ют следующЧе тЧпор змеры . № НомЧн л мм Площ дь мм 2 Предельное от лоне нЧе мм ПерпендЧ улярность сторон мм 15 8 × 15 120 - 0,1 0,1 16 8 × 10 80 - 0,1 0,1 ы ерем тЧпор змер №1 5 . ы ерем тЧповой мет ллосте лянный орпус 151.15 - 4 . Рисунок 5 . 1 . иповой металлостеклянный корпус 151.15 - 4 . естве м терЧ л подлож Ч ыл вы р н СЧт лл СТ50 - 1. Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 12 Т Чм о р зом п р метры подлож ЧЦ  м сшт 20Ц1  ш г оордЧн тной сет ЧЦ 1 мм  тЧпор змер подлож Ч №1 6 номЧн л – 8 × 1 0 мм  предельное от лоненЧеЦ - 0 1 мм  перпендЧ улярность сторонЦ 0 1 мм  м терЧ л подлож ЧЦ СЧт лл СТ50 - 1;  достЧжЧм я шеро ов тость повер ностей ܴ 0 05 м м ;  Т ЛР 10 50 േ 2 ;  теплопроводность 1 5 т/(м о С)  темпер тур р змяг енЧяЦ 620 о C ;  дЧ ле трЧ ес я пронЧц емость 5 ÷ 8 5  т нгенс угл дЧ ле трЧ ес Ч потерьЦ 20. 6 ТЕХН Л ГИЯ ИЗГ Т ЛЕ НИЯ Т ЛСТ ПЛЁН ЧН Й ГИС Толстоплёно ные ГИС выполняют методом тр ретной пе тЧЦ последов тельным н несенЧем н ер мЧ ес ую подлож у р злЧ ны по сост ву п ст с Ч последующЧм вжЧг нЧем в результ те его о р зуется про н я монолЧ тн я стру тур с толщЧной плён Ч 10 — 70 м м Н гр нЧце р здел плён — подлож о р зуется пере одный слой толщЧной 6 — 8 м м о еспе Чв ющЧй про ную связь плён Ч с подлож ой Этот слой омпенсЧрует не оторое несоответствЧе Т ЛР м терЧ лов плён Ч Ч подлож Ч . Сн л о Чщ ют повер ность подлож Ч путём отжЧг Н несенЧе п ст проЧзводЧтся н уст нов е тр ретной пе тЧ прод влЧв нЧем п сты ерез отверстЧя сет того тр рет сновным лементом тр рет является сет Чз нейлон ЧлЧ нерж веющей ст лЧ Н н тя нутую сет у н носЧтся слой ото увствЧтельной мульсЧЧ Методом отолЧтогр ЧЧ ормЧруется нео одЧмый рЧсуно После тр вленЧя о р зуются о н в мульсЧонном слое о н ж ющЧе сет у ерез оторые прЧ н несенЧЧ удет прод влЧв ться п ст Чщенн я подлож уст н влЧв ется в держ тель подлож Ч уст нов Ч тр ретной пе тЧ свер у помещ ют держ тель тр рет с тре уемым тр ретом Н него под ют соответствующую п с ту Ч с помощью р еля н носят её н подлож у роме тр ретной пе тЧ можно н носЧть резЧстЧ вные п сты под д вленЧем с помощью пневм тЧ ес ого доз тор ДозЧров п сты уменьш ет р з рос сопротЧвленЧй резЧсторов дн о для ждого тЧпор змер резЧстор тре уется отдельное сопло доз тору Это созд ёт сложностЧ прЧ ЧзготовленЧЧ ГИС в лю ющЧ в се я резЧсторы с ольшЧм р з росом номЧн льны зн енЧй сопротЧвленЧй Н лЧ Че доз тор не Чс лю ет прЧмененЧе тр ретной пе тЧ для созд нЧя другЧ слоёв ГИС После н несенЧя проводЧтся суш Ч вжЧг нЧе п сты ПрЧ суш е (120 — 200° С) проЧс одЧт уд ленЧе лету Ч орг нЧ ес Ч р створЧтелей Лу ше Чспользов ть Чн р р сную суш у ПрЧ другЧ метод суш Ч н повер ностЧ слоя п сты может о р зов ться ор препятствующ я вы оду лету Ч веществ вследствЧе его после вжЧг нЧя плён может ыть порЧстой Ч соде рж ть р овЧны Для прЧсоедЧненЧя н весны омпонентов нео одЧмо о лужЧв нЧе онт тны площ до проводнЧ ов о луженным онт тным площ д м прЧсоедЧняют гре ён у внешнЧ выводов — рмЧруют пл ту ГИС Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 13 С ор ГИС з лю ется в уст нов е н подлож у н ве сны омпонентов Ч Ч ле трЧ ес ом прЧсоедЧненЧЧ плёно ным проводнЧ м Монт ж н весны омпонентов н подлож у проЧзводят методом вте тЧ ес ой п й Ч п й Ч мяг Чм прЧпоем ЧлЧ с помощью то опроводящЧ леев ыводы н весны омпонентов выполняются Чз м яг Ч Ч пл стЧ ны мет ллов — золот Ч люмЧнЧя нЧ прЧсоедЧняются предв рЧтельно о луженным онт тным площ д м подлож Ч термо омпрессЧонным ЧлЧ ультр зву овым методом Темпер тур выполненЧя соедЧненЧй прЧ термо омпрессЧонной св р е о оло 300° С Мон т ж н весны омпонентов с жёст ЧмЧ вывод мЧ (н прЧмер ш рЧ овымЧ) проводЧтся с помощью лудящЧ п ст П ст н носЧтся ерез тр рет с увелЧ енным р змером я ее сет Ч (до 200 м м) позволяющЧй н нестЧ ольшое олЧ ество п сты н м лые площ д Ч подлож Ч После н несенЧя п сты уст н влЧв ют омпоненты с ш рЧ овымЧ вывод мЧ методом перевёрнутого рЧст лл омпоненты Ч сЧруются лудящей п стой прЧ уст нов е т Ч в процессе п й Ч прЧ темпер туре 190 — 230° С После с ор Ч прЧ нео одЧмостЧ может ыть пров еден ун цЧон льн я подгон с емы н отлЧ ется от простой подгон Ч тем то онтролЧруемым п р метром является не сопротЧвленЧе подгоняемого резЧстор непосредственно вы одные п р метры р терЧзующЧе с емуЦ о ЧцЧент усЧленЧя уровень вы одног о н пряженЧя Ч т д Изготовленную толстоплёно ную ГИС уст н влЧв ют в орпус Ч герметЧзЧруют Н дёжность ГИС ст Чльность её п р метров о еспе Чв ются н все т п ЧзготовленЧя целом можно упрощённо предст вЧть процесс ЧзготовленЧя ИМС толстоплёно ным методом условной с емой рЧс 6 1 Рисунок 6 . 1 . словная схема толстоплёночной технологии. 7 МАРГРУТ ИЗГ Т ЛЕНИЯ ГИС 1. онтроль в одного м терЧ л подлож Ч 2. Р зрез ть в р змер прЧ помощЧ л зерной уст нов Ч 3. онтроль р змер полу енны подложе 4. ГлЧ ов нЧе подлож Ч шлЧ ов льным ст н ом 5. онтроль шеро ов тостЧ Ч не плос остностЧ (с Чспользов нЧем мЧ рос оп ) 6. Н ЧстЧть прЧ помощЧ ультр зву овой уст нов Ч 7. онтроль шеро ов тостЧ Ч не плос остностЧ (с Чспользов нЧем мЧ рос оп ) 8. ИзготовЧть отош лоны н пе тной уст нов е Чз полЧ тЧлен Ч спецЧ льной р с Ч 9. онтроль то ностЧ соответствЧя с орЧгЧн лом прЧ помощЧ Э М 10. ИзготовленЧе тр ретов для резЧстЧвны Ч проводящЧ п ст (Ч онт тны площ до ) Чз ерЧллЧевой ронзы прЧ помощЧ уст нов Ч л зерной рез Ч 11. онтроль р змеров отверстЧя пертуры то ностЧ позЧцЧонЧров нЧя олЧ еств Ч дЧ метров отверстЧй прЧ помощЧ мЧ рос оп 12. ИзготовленЧе тр ретов для з щЧты от нежел тельного н несенЧя по рытЧя 13. онтрол ь р змеров отверстЧя пертуры то ностЧ позЧцЧонЧров нЧя олЧ еств Ч дЧ метров отверстЧй прЧ помощЧ мЧ рос оп 14. ИзготовленЧя р еля Чз резЧны 15. онтроль ормы Ч жёст остЧ Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 14 16. ДЧспергЧров нЧе 17. онтроль отсутствЧя омо ов Ч ос д ов 18. езжЧрЧв нЧе подлож Ч в в нной прЧ помощЧ р створЧтеля 19. онтроль жЧрностЧ подлож Ч 20. Промыть в в нной с водой 21. онтроль Чстоты повер ностЧ прЧ помощЧ мЧ рос оп 22. ПросушЧть в сушЧльном ш у 23. Уст нов тр рет н уст нов е тр ретной пе тЧ 24. онтроль р сстоянЧя тр рет от подлож Ч угл н лон 25. Н несенЧе п сты для золоты онт тны площ до VD1 VT1 VT2 VT3 26. онтроль д вленЧя н несенЧя 27. Суш в сушЧльном ш у 28. онтроль темпер туры Ч временЧ суш Ч 29. жЧг нЧе п ст в онвейерной пе Ч 30. онтроль темпер туры вжЧг нЧя 31. Уст нов тр рет н уст нов е тр ретной пе тЧ 32. онтроль р сстоянЧя тр рет от подлож Ч угл н лон 33. Н несенЧе п ст резЧсторов R1 R2 R3 R4 н уст нов е тр ретной пе тЧ 34. онтроль д вленЧя н несенЧя 35. Суш в сушЧльном ш у 36. онтроль тем пер туры Ч временЧ суш Ч 37. жЧг нЧе резЧсторов в онвейерной пе Ч 38. онтроль темпер туры вжЧг нЧя 39. Уст нов тр рет 40. онтроль р сстоянЧя тр рет от подлож Ч угл н лон 41. Н несенЧе полЧмерного по рытЧя 42. онтроль то ностЧ н несенЧя по рытЧя 43. Суш 44. онтроль темпер туры Ч временЧ суш Ч 45. Монт ж VD1 VT1 VT2 VT3 с Чспользов нЧем лея 46. онтроль то ностЧ уст нов Ч лементов н онт тные площ д Ч 47. Уст нов в орпус 48. онтроль то ностЧ уст нов Ч 49. Уст нов Ч о жЧм вывод в гЧдр влЧ ес ом прессе люмЧнЧевой проволо ой 50. П й выводов в уст нов е для термо омпрессЧонной св р Ч люмЧнЧевой проволо ой 51. онтроль темпер туры Ч временЧ п й Ч 52. ГерметЧз цЧя в мере с з щЧтной тмос ерой 53. Испыт нЧе н тестере Чспыт тельном стенде в в нне с водой 54. он троль режЧмов р оты мЧ рос емы её н дёжностЧ р терЧстЧ герметЧ ностЧ 55. М р Чров 56. Уп ов 57. онтроль еств уп ов Ч Ч олЧ еств мЧ рос ем Те но логЧЧ ЧзготовленЧя пп р туры СУ урсов я р от 15 8 СПИС ИСП ЛЬЗ АНН Й ЛИТЕРАТУРД 1. НЧ ол ев И М ФЧлЧню И А Интегр льные мЧ рос емы Ч основы Ч прое тЧров нЧя - МЦ Р дЧо Ч связь 1992 2. онструЧров нЧе Ч те нологЧя мЧ рос ем урсовое прое тЧров нЧе оледов Л А ол ов А До у ев Н И Ч другЧеЦ Под ред цЧей Л А оледов - М Ц ысш я ш ол 1984 . 3. М тсон Э А рыж новс Чй Д онстру цЧЧ Ч р с ёт мЧ рос ем Ч мЧ ро лементов Э А - Мн Ц ысш я ш ол 1982 4. М тсон Э А рыж новс Чй Д Ц Спр во ное посо Че по онструЧров нЧю мЧ рос ем - Мн Ц ысш я ш ол 1982 5. Е Чмов И Е озырь И Я Го р унов Ю И Ц МЧ ро ле тронЧ 2 - е Чзд нЧе перер от нное Ч дополненное – М Ц ысш я ш ол 1986 6. Под ред цЧей оледов Л А Ц онструЧров нЧе Ч те нологЧя мЧ рос ем урсовое прое тЧров нЧе - Мн Ц ысш я ш ол 1984

Приложенные файлы

  • pdf 14663925
    Размер файла: 897 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий