ТУМ


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ образоваТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
высшего профессионального образования
“Южный федеральный университет”

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ вг. ТАГАНРОГЕКафедра
Антенн и радиопередающих устройств
Расчет
транзисторных усилителей мощности на ПК
Таганрог 2011
Оглавление
Предисловие……………..…………………….………………...3
Список принятых обозначений…………….…………….…….4Назначение программы…...……..….………………….…...6
Описание программы……………….………………..…….11
Правила работы с программой……………………….…....13
Примеры расчета…………………………………….……..14
Приложения……………………...………………………...…...17
Установка программы……...….…………………..……....17
Просмотр и редактирование базы транзисторов…………18
Основные параметры биполярных транзисторов………...20
Список литературы…………….……….....................………...23
Предисловие
Данная программа создана в среде графического программирования LabVIEW 8.2.1.
LabVIEW или Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench (Среда разработки лабораторных виртуальных приборов) представляет собой среду графического программирования, которая широко используется в промышленности, образовании и научно-исследовательских лабораториях в качестве стандартного инструмента для сбора данных и управления приборами. LabVIEW - мощная и гибкая программная среда, применяемая для проведения измерений и анализа полученных данных. LabVIEW - многоплатформенная среда: вы можете использовать ее на компьютерах с операционными системами Windows, MacOS, Linux, Solaris и HP-UX. Персональные компьютеры являются более гибкими инструментами, чем традиционные измерительные приборы, поэтому создание собственной программы на LabVIEW или виртуального прибора (ВП), является довольно несложным делом, а интуитивно понятный пользовательский интерфейс в среде LabVIEW делает разработку программ и их применение весьма интересным и увлекательным занятием.
Концепция LabVIEW сильно отличается от последовательной природы традиционных языков программирования, предоставляя разработчику легкую в использовании графическую оболочку, которая включает в себя весь набор инструментов, необходимых для сбора данных, их анализа и представления полученных результатов. С помощью графического языка программирования LabVIEW, именуемого G (Джей), вы можете программировать вашу задачу из графической блок-диаграммы, которая компилирует алгоритм в машинный код. Являясь превосходной программной средой для бесчисленных применений в области науки и техники, LabVIEW поможет вам решать задачи различного типа, затрачивая значительно меньше времени и усилий по сравнению с написанием традиционного программного кода.
Список принятых сокращений и обозначений
Eбэ max - максимальное допустимое напряжение между базой и эмиттером
Екэ max
- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора
Ебк max - максимально допустимое постоянное напряжение база- коллектор транзистора
Еб- напряжение смещения на базе
Ек- напряжение на коллекторе
Еотс- напряжение на коллекторе
Iк1 - амплитуда первой гармоники коллекторного тока
Iк0 max - максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк0 - постоянная составляющая коллекторного тока
Iэ0 - постоянная составляющая тока эмиттера
Iб0 - постоянная составляющая тока базы
Кр- коэффициент усиления по мощности
Lб - индуктивность базы
Lэ - индуктивность эмиттера
Р0- мощность, потребляемая от источника питания
Р1- колебательная мощность
Рвх- входная мощность
Рк max - максимальная мощность, рассеиваемая коллектором
Ррас- мощность рассеивания
rвх- активная составляющая входного сопротивления
rэ -сопротивление эмиттера транзистора
rб - сопротивление базы транзистора
rнас -сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером транзистора; rнас = 1/SгрRк - сопротивление коллекторной нагрузки
Rбк- сопротивление между базой и коллектором
β0(h21эо) - статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Uбэ max -максимально допустимое напряжение база-эмиттер транзистора
Uк - амплитуда выходного коллекторного напряжения
Uкэ max - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Ск- полная емкость коллекторного перехода транзистора
Свх- входная емкость
Сэ-суммарная емкость эмиттерного перехода транзистора
Ска- емкость активной области перехода транзистора
η - общий КПД
θ - угол отсечки
fт(fгр) - граничная частота коэффициента передачи тока
ξ - коэффициент использования коллекторного напряжения
α 0(θ), α1(θ) - коэффициент разложения косинусоидального импульса
γ 0(θ), γ1(θ) - коэффициент разложения косинусоидального импульса
ηе - электронный КПД
Sгр- крутизна линии граничного(критического) режима
Назначение программы
Программа «Транзусил» предназначена для расчёта транзисторного усилителя мощности. С ее помощью можно производить расчеты домашних, индивидуальных заданий, курсовых работ и осуществлять подготовку домашнего задания к лабораторным работам.
Примечание: Данная программа предназначена для расчетов только биполярных транзисторов, приведенных в таблице (см. приложение 1). В этом приложении приведены справочные данные, которые используются для расчета в программе, остальные характеристики можно посмотреть если открыть Excel базу транзисторов (см. приложении2.)
Расчет электронного режима транзисторного усилителя мощности на биполярных транзисторах выполняется по методике [1,3]. Расчет проводится на заданной коллекторной мощности для граничного режима работы транзистора.
Допущения, принимаемые при расчёте:
1.Используется линейная аппроксимация ВАХ транзистора (реальные характеристики заменяется отрезками прямых).
2.Косинусоидальная форма импульса коллекторного тока.
3.Выходной контур настроен в резонанс на частоту возбуждения.
4.Высокая добротность контура (Q>>1).
5.Не учтена нелинейность междуэлектродных емкостей транзисторов.
Этот расчет электронного режима ТУМ пригоден как для случая усиления немодулированных колебаний, так и в случаях усиления амплитудно- или частотно-модулированных колебаний, а так же при коллекторной или базовой модуляции и при энергетических расчётах автогенераторов.
Расчет выходной (коллекторной) цепи:
При расчете пренебрегаем влиянием индуктивностей выводов и нелинейностью междуэлектродных емкостей транзистора.
Из условия получения высокого электронного КПД выбираем угол отсечки например =90. При этом угле отсечки коэффициенты разложения для косинусоидального импульса равны (приложения 1 и 2)

1. Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме при равен
ξгр=0,5 1+ 1-8P1⋅ rкасα1θEк2При необходимости перехода в перенапряженный режим полученное значение ГР нужно увеличить, а для перехода в недонапряженный режим – уменьшить.
2. Амплитуда коллекторного напряжения равна
Uк=ξгр⋅Eк3. Максимальное напряжение на коллекторе равно
Uк max=Eк+UкЕсли задано напряжение не Eк, а Uкэ max, то амплитуду коллекторного напряжения можно найти из уравнения
Uк=Uкэ max41+ 1-16P1rнасα1θUкэ max2∙rнасПри этом допустимое постоянное напряжение на коллекторе равно
Eк=Uкэ max- UкЕсли же необходимо полностью использовать транзистор по току, то коэффициент использования коллекторного напряжения равен:
ξгр=1-Iк maxSгрEк4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока равна
Iк1=2P1Uк5. Высота импульса коллекторного тока равна
Iк max=Iк1α1θ<Iк max6. Постоянная составляющая тока коллектора равна
Iко= Iк max ∙α0θ 7. Мощность, потребляемая усилителем от источника питания равна
P0=Eк⋅Iко8. Мощность, рассеиваемая коллектором равна
Pк= P0- P1<Pк max9. Электронный КПД равен ηe=P1P0=0,5∙ξгрg1θ10. Общий КПД равен η =ηe∙ηк=PнPо11. Сопротивление коллекторной нагрузки равно
Rн=UкIк1Расчет входной цепи:
Приводимая ниже методика расчета входной цепи генератора на БТ для схем с ОЭ и с ОБ справедлива на частотах до (0,5…0,8) . Если рабочая частота оказывается выше, то следует брать более высокочастотный транзистор. Для транзисторов диапазона УВЧ–СВЧ () существенную роль играют LC-элементы, образующиеся или специально создаваемые между кристаллом и корпусом транзистора. Это относится и к более низкочастотным транзисторам, внутри корпуса которых встроены согласующе-трансформирующие LC-цепи. В этих случаях расчет входной цепи проводят с применением ПК, используя полные эквивалентные схемы транзисторов с учетом дополнительных LRC-элементов, либо ориентируются на экспериментальные измерения параметров входной цепи.
При расчете входной цепи транзистора с ОЭ предполагается, что между базовым и эмиттерным выводами транзистора по радиочастоте включен резистор Rдоп, сопротивление которого составляет Rдоп=h21э0/(2πfTCэ) при большом сопротивлении утечки эмиттерного перехода ().
Кроме того, между коллекторным и базовым выводами включен резистор величиной . На частотах в реальных схемах резисторы Rдоп и можно не ставить, однако в последующих расчетных формулах сопротивление Rдоп необходимо использовать.
Сопротивления дополнительных резисторов равны ;.
Вспомогательный коэффициент равен

2. Амплитуда тока базы на частоте 30 МГц

3. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе равно
Eбэ max= -Iб1+cosθRдоп1+h21э0f/ fт2+Eотс 4. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов равныIб0=Iк0/h21э0
Iэ0=Iб0+Iк05. Напряжение смещения на эмиттерном переходе равно
Eбэ= -IбY0π-θRдоп1+h21э0f/fт2+Eотс+Iб0rб6. Значения элементов эквивалентной схемы входной цепи транзистора.
LвхОЭ=Lб+Lэ /χrвхОЭ=[1+γ1θ2πfтCкаRэкrб+rэ+γ1θ2πfтLэ]/χRвхОЭ=rб+1+γ1θh21э0rэ/χ-rвхОЭ+Rдоп[1-γ1θ]CвхОЭ=h21э0/(2πfтRвхОЭ)7. Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления равны
rвх=rвхОЭ+RвхОЭ/[1+(h21э0f/fт)2]xвх=2πfLвхОЭ-RвхОЭ(h21э0f/fт) 1+(h21э0f/fт)28. Входная мощность равна Рвх = 0,5Iб2rвх9. Коэффициент усиления по мощности равен
Кр = Р1/Рвх = 80/6,8 = 12
10. Максимальная мощность, рассеиваемая в транзисторе равна
Ррас = Рк max + РвхОписание программы
В программе предусмотрена возможность расчета входной и выходной (коллекторной) цепи в соответствии с выбранным типом транзистора.
В рабочей области программы расположены:
1. Таблица транзисторов.
2. Индикатор сигнализирующий о том возможен расчет или нет.
Примечание: если расчет не возможен, проверьте правильность введенных данных.
3. Поля ввода данных, а так же результаты расчета выходной и входной цепи.
Замечания при работе с программой.
В результате расчёта усилителя некоторые параметры принимают комплексные или бесконечные значения, в их полях вывода появятся обозначения «НаН» или «Инф» соответственно. Из этого следует, что программа не смогла рассчитать некоторые из параметров. Необходимо проверить правильность введенных исходных данных. И еще раз обратить внимание на то, что все числа с плавающей запятой должны быть введены через запятую.
-80772038735
Рис.1. Вид окна программы расчета ТУМ

Правила работы с программой
1. Запуск программы
Открыть папку с программой и запустить файл «Транзусил.exe», в случае если у вас установлено ядро NI, то запустится окно программы и можно начинать работу. В случае если ядро не установлено возникнет ошибка и нам будет необходимо установить его ( приложение 1).
2. Работа с программой
Запустив приложение нам нужно ввести заданные параметры в соответствующие поля. Их всего 6: рабочая частота, колебательная мощность, напряжение питания, угол отсечки, напряжение отсечки и номер транзистора.
Примечание: Вводя значение для чисел с плавающей запятой пользуйтесь не точкой, а запятой (например 1,5). Для того что бы записать число в показательно степени необходимо воспользоваться буквой «e» английского алфавита (Пример: 109 в программе можно записать 1е9, или для отрицательной степени 10-9 будет записано следующим образом 1е-9).
Правая кнопка мыши отключена. Операции с буфером обмена производятся с помощью стандартных системных горячих клавиш.
1. Для операции копирования используйте сочетания клавиш «Ctrt + C».
2. Для операции вставки используйте сочетания клавиш «Ctrt + V».
3. PrintScreen – сделать снимок экрана.3. Сохранение результатов
Все полученные результаты можно сохранить в файл в виде электронной таблицы Excel. Для этого служит кнопка «Сохранить». Нажав её, нужно в появившемся окне указать место, куда будет сохраняться файл, имя этого файла. В полученном файле будет представлена следующая информация: параметры входной цепи, параметры коллекторной цепи, параметры выбранного транзистора и исходные данные. Этот файл можно редактировать как в текстовых редакторах, так и в редакторах электронных таблиц Excel. В последнем случае файл возможно будет пересохранить в более удобный для Вас формат.
Примеры расчета
Пример №1[4] ст.81 №4.56:
Исходные данные: рабочая частота УМ равна 30 МГц,
P1 = 80 Вт, Ек = 29,5 В, θ = 90°.Транзистор 2Т927А (приложение 1):  rнас вч = 0,4 Ом; rб = 0,5 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,
β0(h21 э0) = 30; Ск=120пФ; Сэ = 2850пФ; Iк мах  = 10А; Iк и мах = 30А Uкэ мах= 70В; Uбэ мах= 3,5 В; Рк мах = 80 Вт; Определить параметры выходной цепи: Uк, Iк1, Iк0, Iк m, P0, Pк, ηe и Rк.
Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №1:
Таблица №1
Uк1,
В Uкэ max,
В Iк1,
А Iк0,
А ,
А
Расчет по программе 24,2 60,9 6,62 4,20 13,2
По формулам
[4] ст. 30-38 24,2 60,9 6,61 4,22 13,2
ξ Р0ηe Рк max,Вт Rк, Ом
Расчет по программе 0,82 124 0,64 44,1 3,66
По формулам
[4] ст. 30-38 0,82 124 0,64 44,7 3,66
Пример №2[3] ст.35:
Исходные данные: рабочая частота УМ равна 30 МГц,
P1 = 75 Вт, Ек = 30 В, θ = 90°.Транзистор 2Т927А (приложение 1):  rнас вч = 0,4 Ом; rб = 0,5 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,
β0(h21 э0) = 30; Ск=120пФ; Сэ = 2850пФ; Iк мах =  10А; Iк и мах = 30А Uкэ мах= 70В; Uбэ мах= 3,5 В; Рк мах = 80 Вт; Определить параметры выходной и входной цепи.
Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №2:
Таблица №2
Uк1,
В Uкэmax,
В Iк1,
А Iк0,
А Iк max,
А
Расчет по программе 25,2 62,8 5,94 3,78 11,8
По формулам
[4] ст. 30-38 25,2 62,3 5,94 3,80 11,8
ξ Р0ηe Рк max, Вт Rк, Ом
Расчет по программе 0,84 113 0,66 38,7 4,24
По формулам
[4] ст. 30-38 0,84 113 0,65 39 4,25
Результаты расчета входной цепи приведены в таблице №3:
Таблица №3
Rдоп, Ом Rбк, Ом χ Iб, А
Расчет по программе 8,37 198 1,32 2,41
По формулам
[4] ст. 30-38 8,37 198 1,31 2,39
Iб0, А Iэ0, А |Eбэ|, В Lвхоэ, нГн
Расчет по программе 0,12 3,90 0,63 5,27
По формулам
[4] ст. 30-38 0,12 3,93 3,68 5,29
Таблица № 3(продолжение)
Rвхоэ, Ом Cвхоэ, нФ rвх, Ом xвх, Ом
Расчет по программе 2,72 8,76 1,97 0,42
По формулам
[4] ст. 30-38 2,73 8,76 1,98 0,42
KpPpac, Вт Iбэmax, В Pвх, Вт
Расчет по программе 13 44,1 3,68 5,73
По формулам
[4] ст. 30-38 13 44,2 3,68 5,74
Пример №3 [3] ст.30:
Исходные данные: рабочая частота УМ равна 3 МГц,
P1 = 10 Вт, Ек = 27 В, θ = 90°.Транзистор КТ903А (приложе- ние 1):  rнас вч = 2 Ом; rб = 2 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,
β0(h21 э0) = 30; Ск=50 пФ; Сэ =400 пФ; Iк мах =  3А; Iк и мах = 3А Uкэмах= 60В; Uбэ мах= 4 В; Рк мах = 30 Вт; Определить параметры выходной цепи.
Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №4:
Таблица №4
Uк1, В Uкэmax, В Iк1, А Iк0, A Iк max, А
Расчет по программе 23,6 50,7 0,88 0,54 1,69
По формулам
[4] ст. 30-38 23,5 50,5 0,85 0,54 1,7
ξ Р0ηe Рк max, Вт Rк, Ом
Расчет по программе 0,87 14,5 0,69 4,56 27,9
По формулам
[4] ст. 30-38 0,87 14,6 0,68 4,6 27,6
Приложения
Установка программы
Для запуска программы нам необходимо вначале установить пакет динамических библиотек ЛВ82РТЕ из папки «Ядро». Этот пакет можно найти в папке с программой. Запустив этот файл, вы увидите следующее окно.

Нажимайте «Next» и дождитесь окончания установки пакета. После успешной установки пакета и перезапуска компьютера можно приступать к работе с программой «Транзусил».
Просмотр и редактирование Базы транзисторов.
Просмотр базы транзисторов.
В папке с программой есть папка «База» в которой находится файл «База.эксель». Для того что бы открыть его необходимо нажать на него «правой кнопкой мыши» -> открыть с помощью и выбрать Microsoft Excel или другой имеющийся редактор электронных таблиц (например Open Office). Откроется окно с электронной базой транзисторов.
6985043815
Рис.2. Параметры транзисторов
Теперь используя редактор можно выбрать нужный транзистор и изменить его параметры или удалить его из базы. При необходимости можно добавить новый транзистор или заменить существующий транзистор другим (однако следует еще раз обратить внимание на то, что программа предназначена только для расчетов биполярных транзисторов, попытка расчета полевых транзисторов приведет к неправильным результатам).
При изменении или добавлении новых элементов, характеристики необходимо брать из справочной литературы, как было написано выше для расчетов необходимы данные не из всех колонок, обязательными являются только: fгр, МГц; β; rнас, Ом; Lэ, нГн; Lб ,нГн; Cк, пФ; Cэ, пФ; rб, Ом; rэ, Ом. Остальные характеристики могут быть заполнены и использоваться в качестве справочных данных по выбранному типу транзистора.
После окончания изменения базы ее необходимо сохранить и закрыть. После запуска программы расчет будет производиться по новым данным их таблицы.
Редактирование Базы транзисторов.
В программе предусмотрено редактирование базы данных с транзисторами. Для этого программа использует в работе файл «База.эксель», находящийся в папке «Программа\База». Его тоже можно редактировать в любом редакторе электронных таблиц. Для этого нужно открыть редактор и перетащить в его поле файл «База.эксель». Первую строку изменять нежелательно, т.к. принятые в ней обозначения частично используются во всплывающих подсказках. В данной версии программы при расчёте необходимы только данные из столбцов № 3, 10, 11, 12, 13, 15, 16, 17 и 18. Поэтому, при вводе новых транзисторов остальные столбцы можно не заполнять. Номер и название транзистора нужны лишь для удобства пользования программой. Она ищет транзистор не по значению из первого столбца, а просто считывает строку с номером, на единицу большим введённого. Редактировать базу можно как угодно. Нет гарантии точности указанных в ней параметров. Практически по каждому элементу при наведении на него курсора можно получить необходимую информацию из всплывающей подсказки.
Основные параметры биполярных транзисторов.
Таблица №5
Тип fт, МГц β0
(h21эо) rнас Ом Lэ,
нГн LбнГн Cк, пФ Cэ, пФ rб,
Ом rэ,
Ом
2T927A 200 30 0,4 3 3 120 2850 0,5 0
KT903A 120 30 2 20 20 50 400 2 0
2Т947А 100 80 0,1 5 5 400 2700 0,5 0
KT902А 35 15 1,4 20 20 150 1500 2 0
2T903А 120 70 5 20 20 50 400 2 0
2T912А 90 50 1,4 5 5 200 1200 0,5 0
KT927А 200 50 0,4 2,9 2,7 120 2850 0,5 0
2T944А 100 80 0,45 5 4 300 1500 0,5 0
2T950В 100 100 1 2,1 2,3 130 1200 0,5 0
2T951В 420 100 2,4 3,8 3,2 60 600 0,5 0
2T955А 400 80 2,4 2 2,4 50 320 0,5 0
2T956А 200 80 0,5 2,8 2,8 340 1600 0,5 0
2T957А 100 80 0,3 1,4 2,2 460 2250 0,5 0
2T967А 300 100 0,08 2 2,2 200 2500 0,5 0
2T980А 270 60 0,5 1,6 1,9 450 3500 0,5 0
2T921А 300 80 3,4 3 3,5 40 450 0,5 0
2T950А 360 100 0,4 2,1 2,3 130 1200 0,5 0
2T951W 540 200 10 3,8 3,2 9 90 0,5 0
2T951А 420 100 1,4 3,8 3,2 60 600 0,5 0
2T964А 300 50 0,8 2,8 1,9 220 4000 0,5 0
2T920А 900 100 4 1,7 2,9 8 55 0,5 0
2T920B 1200 100 1,4 1,2 2,6 12 100 0,5 0
2T920W 700 100 0,3 1 2,4 40 200 0,5 0
2T922A 300 150 8 1,7 2,9 5 100 2 0
2T922B 300 150 2 1,1 2,5 15 350 1 0
2T922W 300 150 1 0,9 2,4 40 700 0,5 0
2T929A 1100 50 6 1,2 2,6 10 210 0,5 0
2T931A 550 100 0,3 0,29 1,47 165 3800 0,5 0,07
2T979A 1600 50 1 0,9 0,08 40 320 0,5 0
2T942A 4000 50 2,7 0,8 0,14 15 110 0,25 0,4
Таблица №5(продолжение)
Тип fт, МГц β0
(h21эо) rнас Ом Lэ,
нГн LбнГн Cк, пФ Cэ, пФ rб,
Ом rэ, Ом
2T958A 920 250 0,5 0,44 0,6 100 2100 0,5 0
2T971A 570 60 0,2 0,18 0,56 200 2000 0,5 0
2T606A 350 40 20 4 4 10 27 6 0
2T610B 1500 250 10 1,28 2,4 2,7 21 0,5 0
2T904A 350 60 3,5 4 4 12 170 3 0
2T904A 350 60 3,5 4 4 12 170 3 0,06
2T914A 300 60 4 4 4 12 170 5 0
2T907A 350 80 2,5 1,5 4 20 250 1,5 0,4
2T930A 1300 100 1 0,35 1,57 52 930 0,5 0,1
2T930B 1200 100 0,5 0,24 1,42 120 2100 0,5 0,05
2T934A 1400 150 6 1,3 3,1 5 60 0,5 0
2T934B 1400 150 3 1,2 3,1 7 160 0,5 0
2T934W 1400 150 1,5 1 2,8 16 300 0,5 0
2T960A 1500 70 0,3 0,38 0,49 75 1200 0,5 0
2T970A 1800 60 0,45 0,2 0,3 120 1000 0,5 0
2T909A 800 50 0,6 0,2 2 30 350 1 0,04
2T909B 900 50 0,3 0,2 2,5 60 700 0,5 0,04
2T925A 2400 70 1,5 1,2 2,6 4,5 150 0,5 0
2T925B 2200 55 1 1 2,4 12 200 0,5 0
2T925W 1500 150 0,35 1 2,4 30 300 0,5 0
2T913A 1500 75 10 0,55 3 3,4 60 1,5 0,8
2T913B 1600 75 7 0,25 2,5 6,8 120 1,2 0,4
2T913W 1600 75 3 0,25 2,5 9 120 1 0,2
2T916A 1100 35 1,6 0,35 1 12 190 5 0
2T911A 1000 80 40 0,3 2,5 2 25 2,5 0
2T607A 1500 50 25 0,3 3 3,2 40 0,5 0
2T962A 1400 60 4 1,43 0,23 11 100 0,5 0
2T962B 1250 55 2,5 1,24 0,12 17 150 0,5 0
2T962W 1350 50 1,2 0,92 0,06 32 400 0,5 0
2T976A 1400 40 0,8 0,92 0,66 47 700 0,5 0
2T946A 1500 50 1,5 0,3 0,06 35 310 0,5 0
Таблица №5(окончание)
Тип fт, МГц β0
(h21эо) rнас Ом Lэ,
нГн LбнГн Cк, пФ Cэ, пФ rб,
Ом rэ, Ом
2T948A 4000 30 1,7 0,8 0,14 20 170 2 0,05
2T948B 4000 40 3 0,8 0,25 11 160 0,5 0
2T919A 2100 20 8 0,7 0,14 7,5 50 4 0,3
2T919B 2300 20 10 0,7 0,25 5,2 25 10 0,2
2T919W 2400 20 30 0,7 0,35 3,3 12 20 0,2
2T937A 6500 40 13 0,6 0,3 2,2 25 0,5 0
2T937B 6500 30 5 0,5 0,25 4,2 50 0,5 0
KT918A 800 100 60 0,3 0,11 3,7 15 0,5 0,3
KT918B 1000 50 30 0,3 0,11 3,7 15 0,5 0
2T634A 2000 40 30 0,3 0,11 1,5 8 0,5 0
2T643A 5200 50 30 0,6 0,3 1,2 4,5 0,5 0
2T963A 9000 70 12 0,5 0,1 1,5 4,8 0,5 0
Примечание: В приложении приведены только те справочные данные, которые используются для расчета в программе, остальные параметры транзисторов можно посмотреть в файле ««База.эксель»».
Список литературы
1. М.С.Шумилин, В.Б.Козырев, В.А.Власов Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учеб. пособие для техникумов. - М.: Радио и связь, 1987 – 320 с. Библиогр. 43 назв.
2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Под ред. В.В. Шахгильдяна. - 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 2003. – 560 с. Библиогр. 94 назв.
3. Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пос. для студ. вузов связи /Под ред. В.В. Шахгильдяна. 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 2003. – 656 с. Библиогр. 226 назв.
4. С.С. Гарматюк, С.Г.  Грищенко. Практикум по радиопередающим устройствам: Учебное пособие. - Таганрог: ТТИ ЮФУ, 2007г-183с. Библиогр.: 30 назв. №3310-1.
5. С.С. Гарматюк Задачник по радиопередающим устройствам. : Учеб. пособие для студ. вузов. - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2010. – 736c. Библиогр. 103 назв. № 4509.

Приложенные файлы

  • docx 14701730
    Размер файла: 399 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий