ТУМ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ образоваТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
высшего профессионального образования
“Южный федеральный университет”


ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ в
г. ТАГАНРОГЕ
Кафедра
Антенн и радиопередающих устройств




Расчет
транзисторных усилителей мощности на ПК











Таганрог 2011
Оглавление

Предисловие......3
Список принятых обозначений...4
Назначение программы..........6
Описание программы....11
Правила работы с программой.....13
Примеры расчета...14
Приложения.........17
Установка программы..........17
Просмотр и редактирование базы транзисторов18
Основные параметры биполярных транзисторов...20
Список литературы.........................23



















Предисловие

Данная программа создана в среде графического программирования LabVIEW 8.2.1.
LabVIEW или Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench (Среда разработки лабораторных виртуальных приборов) представляет собой среду графического программирования, которая широко используется в промышленности, образовании и научно-исследовательских лабораториях в качестве стандартного инструмента для сбора данных и управления приборами. LabVIEW - мощная и гибкая программная среда, применяемая для проведения измерений и анализа полученных данных. LabVIEW - многоплатформенная среда: вы можете использовать ее на компьютерах с операционными системами Windows, MacOS, Linux, Solaris и HP-UX. Персональные компьютеры являются более гибкими инструментами, чем традиционные измерительные приборы, поэтому создание собственной программы на LabVIEW или виртуального прибора (ВП), является довольно несложным делом, а интуитивно понятный пользовательский интерфейс в среде LabVIEW делает разработку программ и их применение весьма интересным и увлекательным занятием.
Концепция LabVIEW сильно отличается от последовательной природы традиционных языков программирования, предоставляя разработчику легкую в использовании графическую оболочку, которая включает в себя весь набор инструментов, необходимых для сбора данных, их анализа и представления полученных результатов. С помощью графического языка программирования LabVIEW, именуемого G (Джей), вы можете программировать вашу задачу из графической блок-диаграммы, которая компилирует алгоритм в машинный код. Являясь превосходной программной средой для бесчисленных применений в области науки и техники, LabVIEW поможет вам решать задачи различного типа, затрачивая значительно меньше времени и усилий по сравнению с написанием традиционного программного кода.

Список принятых сокращений и обозначений
Eбэ max
- максимальное допустимое напряжение между базой и эмиттером

Екэ max

- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора

Ебк max
- максимально допустимое постоянное напряжение база- коллектор транзистора

Еб
- напряжение смещения на базе

Ек
- напряжение на коллекторе

Еотс
- напряжение на коллекторе

Iк1
- амплитуда первой гармоники коллекторного тока

Iк0 max
- максимально допустимый постоянный ток коллектора

Iк max
- максимально допустимый постоянный ток коллектора

Iк0
- постоянная составляющая коллекторного тока

Iэ0
- постоянная составляющая тока эмиттера

Iб0
- постоянная составляющая тока базы

Кр
- коэффициент усиления по мощности


- индуктивность базы


- индуктивность эмиттера

Р0
- мощность, потребляемая от источника питания

Р1
- колебательная мощность

Рвх
- входная мощность

Рк max
- максимальная мощность, рассеиваемая коллектором

Ррас
- мощность рассеивания

rвх
- активная составляющая входного сопротивления


-сопротивление эмиттера транзистора


- сопротивление базы транзистора

rнас
-сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером транзистора; rнас = 1/Sгр


- сопротивление коллекторной нагрузки

Rбк
- сопротивление между базой и коллектором


·0(h21эо)
- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

Uбэ max
-максимально допустимое напряжение база-эмиттер транзистора


- амплитуда выходного коллекторного напряжения

Uкэ max
- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

Ск
- полная емкость коллекторного перехода транзистора

Свх
- входная емкость

Сэ
-суммарная емкость эмиттерного перехода транзистора

Ска
- емкость активной области перехода транзистора


·
- общий КПД


·
- угол отсечки

fт(fгр)
- граничная частота коэффициента передачи тока


·
- коэффициент использования коллекторного напряжения


· 0(
·),
·1(
·)
- коэффициент разложения косинусоидального импульса


· 0(
·),
·1(
·)
- коэффициент разложения косинусоидального импульса


·е
- электронный КПД

Sгр
- крутизна линии граничного(критического) режима


















Назначение программы

Программа «Транзусил» предназначена для расчёта транзисторного усилителя мощности. С ее помощью можно производить расчеты домашних, индивидуальных заданий, курсовых работ и осуществлять подготовку домашнего задания к лабораторным работам.
Примечание: Данная программа предназначена для расчетов только биполярных транзисторов, приведенных в таблице (см. приложение 1). В этом приложении приведены справочные данные, которые используются для расчета в программе, остальные характеристики можно посмотреть если открыть Excel базу транзисторов (см. приложении2.)
Расчет электронного режима транзисторного усилителя мощности на биполярных транзисторах выполняется по методике [1,3]. Расчет проводится на заданной коллекторной мощности для граничного режима работы транзистора.
Допущения, принимаемые при расчёте:
1.Используется линейная аппроксимация ВАХ транзистора (реальные характеристики заменяется отрезками прямых).
2.Косинусоидальная форма импульса коллекторного тока.
3.Выходной контур настроен в резонанс на частоту возбуждения.
4.Высокая добротность контура (Q>>1).
5.Не учтена нелинейность междуэлектродных емкостей транзисторов.
Этот расчет электронного режима ТУМ пригоден как для случая усиления немодулированных колебаний, так и в случаях усиления амплитудно- или частотно-модулированных колебаний, а так же при коллекторной или базовой модуляции и при энергетических расчётах автогенераторов.






Расчет выходной (коллекторной) цепи:

При расчете пренебрегаем влиянием индуктивностей выводов и нелинейностью междуэлектродных емкостей транзистора.
Из условия получения высокого электронного КПД выбираем угол отсечки например (=90(. При этом угле отсечки коэффициенты разложения для косинусоидального импульса равны (приложения 1 и 2)
13 EMBED Equation.DSMT4 141513 EMBED Equation.DSMT4 141513 EMBED Equation.DSMT4 1415
1. Коэффициент использования коллекторного напряжения в граничном режиме при13 EMBED Equation.DSMT4 1415 равен



При необходимости перехода в перенапряженный режим полученное значение (ГР нужно увеличить, а для перехода в недонапряженный режим – уменьшить.
2. Амплитуда коллекторного напряжения равна

3. Максимальное напряжение на коллекторе равно

Если задано напряжение не Eк, а Uкэ max, то амплитуду коллекторного напряжения можно найти из уравнения


При этом допустимое постоянное напряжение на коллекторе равно

Если же необходимо полностью использовать транзистор по току, то коэффициент использования коллекторного напряжения равен:

4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока равна


5. Высота импульса коллекторного тока равна


6. Постоянная составляющая тока коллектора равна


7. Мощность, потребляемая усилителем от источника питания равна


8. Мощность, рассеиваемая коллектором равна


9. Электронный КПД равен 13 QUOTE 1415
10. Общий КПД равен 13 QUOTE 1415
11. Сопротивление коллекторной нагрузки равно


Расчет входной цепи:
Приводимая ниже методика расчета входной цепи генератора на БТ для схем с ОЭ и с ОБ справедлива на частотах до (0,50,8) 13 EMBED Equation.DSMT4 1415. Если рабочая частота оказывается выше, то следует брать более высокочастотный транзистор. Для транзисторов диапазона УВЧ–СВЧ (13 EMBED Equation.DSMT4 1415) существенную роль играют LC-элементы, образующиеся или специально создаваемые между кристаллом и корпусом транзистора. Это относится и к более низкочастотным транзисторам, внутри корпуса которых встроены согласующе-трансформирующие LC-цепи. В этих случаях расчет входной цепи проводят с применением ПК, используя полные эквивалентные схемы транзисторов с учетом дополнительных LRC-элементов, либо ориентируются на экспериментальные измерения параметров входной цепи.
При расчете входной цепи транзистора с ОЭ предполагается, что между базовым и эмиттерным выводами транзистора по радиочастоте включен резистор Rдоп, сопротивление которого составляет Rдоп=h21э0/(2
·fTCэ) при большом сопротивлении утечки эмиттерного перехода (13 EMBED Equation.DSMT4 1415).
Кроме того, между коллекторным и базовым выводами включен резистор величиной 13 EMBED Equation.DSMT4 1415. На частотах 13 EMBED Equation.DSMT4 1415в реальных схемах резисторы Rдоп и 13 EMBED Equation.DSMT4 1415 можно не ставить, однако в последующих расчетных формулах сопротивление Rдоп необходимо использовать.
Сопротивления дополнительных резисторов равны 13 EMBED Equation.DSMT4 1415;13 EMBED Equation.DSMT4 1415.
Вспомогательный коэффициент равен
13 EMBED Equation.DSMT4 1415

2. Амплитуда тока базы на частоте 30 МГц
13 EMBED Equation.DSMT4 1415
3. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе равно

4. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов равны
13 QUOTE 1415

5. Напряжение смещения на эмиттерном переходе равно



6. Значения элементов эквивалентной схемы входной цепи транзистора.

13 QUOTE 1415=13 QUOTE 1415
13 QUOTE 1415=13 QUOTE 1415-13 QUOTE 1415+13 QUOTE 1415-13 QUOTE 1415


7. Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления равны



8. Входная мощность равна Рвх = 0,513 QUOTE 1415rвх
9. Коэффициент усиления по мощности равен
Кр = Р1/Рвх = 80/6,8 = 12
10. Максимальная мощность, рассеиваемая в транзисторе равна
Ррас = Рк max + Рвх





Описание программы

В программе предусмотрена возможность расчета входной и выходной (коллекторной) цепи в соответствии с выбранным типом транзистора.
В рабочей области программы расположены:
1. Таблица транзисторов.
2. Индикатор сигнализирующий о том возможен расчет или нет.
Примечание: если расчет не возможен, проверьте правильность введенных данных.
3. Поля ввода данных, а так же результаты расчета выходной и входной цепи.

Замечания при работе с программой.
В результате расчёта усилителя некоторые параметры принимают комплексные или бесконечные значения, в их полях вывода появятся обозначения «НаН» или «Инф» соответственно. Из этого следует, что программа не смогла рассчитать некоторые из параметров. Необходимо проверить правильность введенных исходных данных. И еще раз обратить внимание на то, что все числа с плавающей запятой должны быть введены через запятую.














































Правила работы с программой

1. Запуск программы
Открыть папку с программой и запустить файл «Транзусил.exe», в случае если у вас установлено ядро NI, то запустится окно программы и можно начинать работу. В случае если ядро не установлено возникнет ошибка и нам будет необходимо установить его ( приложение 1).

2. Работа с программой
Запустив приложение нам нужно ввести заданные параметры в соответствующие поля. Их всего 6: рабочая частота, колебательная мощность, напряжение питания, угол отсечки, напряжение отсечки и номер транзистора.
Примечание: Вводя значение для чисел с плавающей запятой пользуйтесь не точкой, а запятой (например 1,5). Для того что бы записать число в показательно степени необходимо воспользоваться буквой «e» английского алфавита (Пример: 109 в программе можно записать 1е9, или для отрицательной степени 10-9 будет записано следующим образом 1е-9).

Правая кнопка мыши отключена. Операции с буфером обмена производятся с помощью стандартных системных горячих клавиш.
1. Для операции копирования используйте сочетания клавиш «Ctrt + C».
2. Для операции вставки используйте сочетания клавиш «Ctrt + V».
3. PrintScreen – сделать снимок экрана.

3. Сохранение результатов
Все полученные результаты можно сохранить в файл в виде электронной таблицы Excel. Для этого служит кнопка «Сохранить». Нажав её, нужно в появившемся окне указать место, куда будет сохраняться файл, имя этого файла. В полученном файле будет представлена следующая информация: параметры входной цепи, параметры коллекторной цепи, параметры выбранного транзистора и исходные данные. Этот файл можно редактировать как в текстовых редакторах, так и в редакторах электронных таблиц Excel. В последнем случае файл возможно будет пересохранить в более удобный для Вас формат.

Примеры расчета

Пример №1[4] ст.81 №4.56:
Исходные данные: рабочая частота УМ равна 30 МГц,
P1 = 80 Вт, Ек = 29,5 В,
· = 90°.Транзистор 2Т927А (приложение 1):  rнас вч = 0,4 Ом; rб = 0,5 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,

·0(h21 э0) = 30; Ск=120пФ; Сэ = 2850пФ; Iк мах  = 10А; Iк и мах = 30А Uкэ мах= 70В; Uбэ мах= 3,5 В; Рк мах = 80 Вт; Определить параметры выходной цепи: Uк, Iк1, Iк0, Iк m, P0, Pк,
·e и Rк.

Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №1:

Таблица №1

Uк1,
В
Uкэ max,
В
Iк1,
А
Iк0,
А
13 EMBED Equation.3 1415,
А

Расчет по программе
24,2
60,9
6,62
4,20
13,2

По формулам
[4] ст. 30-38
24,2
60,9
6,61
4,22
13,2



·
Р0

·e
Рк max,Вт
Rк, Ом

Расчет по программе
0,82
124
0,64
44,1
3,66

По формулам
[4] ст. 30-38
0,82
124
0,64
44,7
3,66






Пример №2[3] ст.35:

Исходные данные: рабочая частота УМ равна 30 МГц,
P1 = 75 Вт, Ек = 30 В,
· = 90°.Транзистор 2Т927А (приложение 1):  rнас вч = 0,4 Ом; rб = 0,5 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,

·0(h21 э0) = 30; Ск=120пФ; Сэ = 2850пФ; Iк мах =  10А; Iк и мах = 30А Uкэ мах= 70В; Uбэ мах= 3,5 В; Рк мах = 80 Вт; Определить параметры выходной и входной цепи.

Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №2:
Таблица №2

Uк1,
В
Uкэmax,
В
Iк1,
А
Iк0,
А
Iк max,
А

Расчет по программе
25,2
62,8
5,94
3,78
11,8

По формулам
[4] ст. 30-38
25,2
62,3
5,94
3,80
11,8



·
Р0

·e
Рк max, Вт
Rк, Ом

Расчет по программе
0,84
113
0,66
38,7
4,24

По формулам
[4] ст. 30-38
0,84
113
0,65
39
4,25


Результаты расчета входной цепи приведены в таблице №3:
Таблица №3

Rдоп, Ом
Rбк, Ом

·
Iб, А

Расчет по программе
8,37
198
1,32
2,41

По формулам
[4] ст. 30-38
8,37
198
1,31
2,39


Iб0, А
Iэ0, А
|Eбэ|, В
Lвхоэ, нГн

Расчет по программе
0,12
3,90
0,63
5,27

По формулам
[4] ст. 30-38
0,12
3,93
3,68
5,29


Таблица № 3(продолжение)

Rвхоэ, Ом
Cвхоэ, нФ
rвх, Ом
xвх, Ом

Расчет по программе
2,72
8,76
1,97
0,42

По формулам
[4] ст. 30-38
2,73
8,76
1,98
0,42


Kp
Ppac, Вт
Iбэmax, В
Pвх, Вт

Расчет по программе
13
44,1
3,68
5,73

По формулам
[4] ст. 30-38
13
44,2
3,68
5,74


Пример №3 [3] ст.30:
Исходные данные: рабочая частота УМ равна 3 МГц,
P1 = 10 Вт, Ек = 27 В,
· = 90°.Транзистор КТ903А (приложе- ние 1):  rнас вч = 2 Ом; rб = 2 Ом; rэ = 0 Ом; Еотс = 0,7В,

·0(h21 э0) = 30; Ск=50 пФ; Сэ =400 пФ; Iк мах =  3А; Iк и мах = 3А Uкэмах= 60В; Uбэ мах= 4 В; Рк мах = 30 Вт; Определить параметры выходной цепи.
Результаты расчета выходной цепи приведены в таблице №4:
Таблица №4

Uк1, В
Uкэmax, В
Iк1, А
Iк0, A
Iк max, А

Расчет по программе
23,6
50,7
0,88
0,54
1,69

По формулам
[4] ст. 30-38
23,5
50,5
0,85
0,54
1,7



·
Р0

·e
Рк max, Вт
Rк, Ом

Расчет по программе
0,87
14,5
0,69
4,56
27,9

По формулам
[4] ст. 30-38
0,87
14,6
0,68
4,6
27,6



Приложения

Установка программы

Для запуска программы нам необходимо вначале установить пакет динамических библиотек ЛВ82РТЕ из папки «Ядро». Этот пакет можно найти в папке с программой. Запустив этот файл, вы увидите следующее окно.


Нажимайте «Next» и дождитесь окончания установки пакета. После успешной установки пакета и перезапуска компьютера можно приступать к работе с программой «Транзусил».




Просмотр и редактирование Базы транзисторов.

Просмотр базы транзисторов.
В папке с программой есть папка «База» в которой находится файл «База.эксель». Для того что бы открыть его необходимо нажать на него «правой кнопкой мыши» -> открыть с помощью и выбрать Microsoft Excel или другой имеющийся редактор электронных таблиц (например Open Office). Откроется окно с электронной базой транзисторов.























Рис.2. Параметры транзисторов

Теперь используя редактор можно выбрать нужный транзистор и изменить его параметры или удалить его из базы. При необходимости можно добавить новый транзистор или заменить существующий транзистор другим (однако следует еще раз обратить внимание на то, что программа предназначена только для расчетов биполярных транзисторов, попытка расчета полевых транзисторов приведет к неправильным результатам).
При изменении или добавлении новых элементов, характеристики необходимо брать из справочной литературы, как было написано выше для расчетов необходимы данные не из всех колонок, обязательными являются только: fгр, МГц;
·; rнас, Ом; Lэ, нГн; Lб ,нГн; Cк, пФ; Cэ, пФ; rб, Ом; rэ, Ом. Остальные характеристики могут быть заполнены и использоваться в качестве справочных данных по выбранному типу транзистора.
После окончания изменения базы ее необходимо сохранить и закрыть. После запуска программы расчет будет производиться по новым данным их таблицы.

Редактирование Базы транзисторов.
В программе предусмотрено редактирование базы данных с транзисторами. Для этого программа использует в работе файл «База.эксель», находящийся в папке «Программа\База». Его тоже можно редактировать в любом редакторе электронных таблиц. Для этого нужно открыть редактор и перетащить в его поле файл «База.эксель». Первую строку изменять нежелательно, т.к. принятые в ней обозначения частично используются во всплывающих подсказках. В данной версии программы при расчёте необходимы только данные из столбцов № 3, 10, 11, 12, 13, 15, 16, 17 и 18. Поэтому, при вводе новых транзисторов остальные столбцы можно не заполнять. Номер и название транзистора нужны лишь для удобства пользования программой. Она ищет транзистор не по значению из первого столбца, а просто считывает строку с номером, на единицу большим введённого. Редактировать базу можно как угодно. Нет гарантии точности указанных в ней параметров. Практически по каждому элементу при наведении на него курсора можно получить необходимую информацию из всплывающей подсказки.
Основные параметры биполярных транзисторов.
Таблица №5
Тип
fт, МГц

·0
(h21эо)
rнас Ом
Lэ,
нГн

нГн
Cк, пФ
Cэ, пФ
rб,
Ом
rэ,
Ом

2T927A
200
30
0,4
3
3
120
2850
0,5
0

KT903A
120
30
2
20
20
50
400
2
0

2Т947А
100
80
0,1
5
5
400
2700
0,5
0

KT902А
35
15
1,4
20
20
150
1500
2
0

2T903А
120
70
5
20
20
50
400
2
0

2T912А
90
50
1,4
5
5
200
1200
0,5
0

KT927А
200
50
0,4
2,9
2,7
120
2850
0,5
0

2T944А
100
80
0,45
5
4
300
1500
0,5
0

2T950В
100
100
1
2,1
2,3
130
1200
0,5
0

2T951В
420
100
2,4
3,8
3,2
60
600
0,5
0

2T955А
400
80
2,4
2
2,4
50
320
0,5
0

2T956А
200
80
0,5
2,8
2,8
340
1600
0,5
0

2T957А
100
80
0,3
1,4
2,2
460
2250
0,5
0

2T967А
300
100
0,08
2
2,2
200
2500
0,5
0

2T980А
270
60
0,5
1,6
1,9
450
3500
0,5
0

2T921А
300
80
3,4
3
3,5
40
450
0,5
0

2T950А
360
100
0,4
2,1
2,3
130
1200
0,5
0

2T951W
540
200
10
3,8
3,2
9
90
0,5
0

2T951А
420
100
1,4
3,8
3,2
60
600
0,5
0

2T964А
300
50
0,8
2,8
1,9
220
4000
0,5
0

2T920А
900
100
4
1,7
2,9
8
55
0,5
0

2T920B
1200
100
1,4
1,2
2,6
12
100
0,5
0

2T920W
700
100
0,3
1
2,4
40
200
0,5
0

2T922A
300
150
8
1,7
2,9
5
100
2
0

2T922B
300
150
2
1,1
2,5
15
350
1
0

2T922W
300
150
1
0,9
2,4
40
700
0,5
0

2T929A
1100
50
6
1,2
2,6
10
210
0,5
0

2T931A
550
100
0,3
0,29
1,47
165
3800
0,5
0,07

2T979A
1600
50
1
0,9
0,08
40
320
0,5
0

2T942A
4000
50
2,7
0,8
0,14
15
110
0,25
0,4


Таблица №5(продолжение)
Тип
fт, МГц

·0
(h21эо)
rнас Ом
Lэ,
нГн

нГн
Cк, пФ
Cэ, пФ
rб,
Ом
rэ, Ом

2T958A
920
250
0,5
0,44
0,6
100
2100
0,5
0

2T971A
570
60
0,2
0,18
0,56
200
2000
0,5
0

2T606A
350
40
20
4
4
10
27
6
0

2T610B
1500
250
10
1,28
2,4
2,7
21
0,5
0

2T904A
350
60
3,5
4
4
12
170
3
0

2T904A
350
60
3,5
4
4
12
170
3
0,06

2T914A
300
60
4
4
4
12
170
5
0

2T907A
350
80
2,5
1,5
4
20
250
1,5
0,4

2T930A
1300
100
1
0,35
1,57
52
930
0,5
0,1

2T930B
1200
100
0,5
0,24
1,42
120
2100
0,5
0,05

2T934A
1400
150
6
1,3
3,1
5
60
0,5
0

2T934B
1400
150
3
1,2
3,1
7
160
0,5
0

2T934W
1400
150
1,5
1
2,8
16
300
0,5
0

2T960A
1500
70
0,3
0,38
0,49
75
1200
0,5
0

2T970A
1800
60
0,45
0,2
0,3
120
1000
0,5
0

2T909A
800
50
0,6
0,2
2
30
350
1
0,04

2T909B
900
50
0,3
0,2
2,5
60
700
0,5
0,04

2T925A
2400
70
1,5
1,2
2,6
4,5
150
0,5
0

2T925B
2200
55
1
1
2,4
12
200
0,5
0

2T925W
1500
150
0,35
1
2,4
30
300
0,5
0

2T913A
1500
75
10
0,55
3
3,4
60
1,5
0,8

2T913B
1600
75
7
0,25
2,5
6,8
120
1,2
0,4

2T913W
1600
75
3
0,25
2,5
9
120
1
0,2

2T916A
1100
35
1,6
0,35
1
12
190
5
0

2T911A
1000
80
40
0,3
2,5
2
25
2,5
0

2T607A
1500
50
25
0,3
3
3,2
40
0,5
0

2T962A
1400
60
4
1,43
0,23
11
100
0,5
0

2T962B
1250
55
2,5
1,24
0,12
17
150
0,5
0

2T962W
1350
50
1,2
0,92
0,06
32
400
0,5
0

2T976A
1400
40
0,8
0,92
0,66
47
700
0,5
0

2T946A
1500
50
1,5
0,3
0,06
35
310
0,5
0

Таблица №5(окончание)
Тип
fт, МГц

·0
(h21эо)
rнас Ом
Lэ,
нГн

нГн
Cк, пФ
Cэ, пФ
rб,
Ом
rэ, Ом

2T948A
4000
30
1,7
0,8
0,14
20
170
2
0,05

2T948B
4000
40
3
0,8
0,25
11
160
0,5
0

2T919A
2100
20
8
0,7
0,14
7,5
50
4
0,3

2T919B
2300
20
10
0,7
0,25
5,2
25
10
0,2

2T919W
2400
20
30
0,7
0,35
3,3
12
20
0,2

2T937A
6500
40
13
0,6
0,3
2,2
25
0,5
0

2T937B
6500
30
5
0,5
0,25
4,2
50
0,5
0

KT918A
800
100
60
0,3
0,11
3,7
15
0,5
0,3

KT918B
1000
50
30
0,3
0,11
3,7
15
0,5
0

2T634A
2000
40
30
0,3
0,11
1,5
8
0,5
0

2T643A
5200
50
30
0,6
0,3
1,2
4,5
0,5
0

2T963A
9000
70
12
0,5
0,1
1,5
4,8
0,5
0


Примечание: В приложении приведены только те справочные данные, которые используются для расчета в программе, остальные параметры транзисторов можно посмотреть в файле ««База.эксель»».
















Список литературы
1. М.С.Шумилин, В.Б.Козырев, В.А.Власов Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учеб. пособие для техникумов. - М.: Радио и связь, 1987 – 320 с. Библиогр. 43 назв.
2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Под ред. В.В. Шахгильдяна. - 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 2003. – 560 с. Библиогр. 94 назв.
3. Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пос. для студ. вузов связи /Под ред. В.В. Шахгильдяна. 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 2003. – 656 с. Библиогр. 226 назв.
4. С.С. Гарматюк, С.Г.  Грищенко. Практикум по радиопередающим устройствам: Учебное пособие. - Таганрог: ТТИ ЮФУ, 2007г-183с. Библиогр.: 30 назв. №3310-1.
5. С.С. Гарматюк Задачник по радиопередающим устройствам. : Учеб. пособие для студ. вузов. - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2010. – 736c. Библиогр. 103 назв. № 4509.











13 PAGE \* MERGEFORMAT 14- 23 -15





Рис.1. Вид окна программы расчета ТУМ



Root EntryEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation Native

Приложенные файлы

  • doc 14701731
    Размер файла: 896 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий