Исследование резисторного каскада на биполярном..

Пояснение к расчетной части
лабораторной работы
“Исследование резисторного каскада на биполярном транзисторе”

Цепи питания биполярных транзисторов
(схема с эмиттерной стабилизацией)

Расчет усилителя должен начинаться с расчета по постоянному току. Только после того, как в усилителе создан необходимый режим на постоянном токе (задано напряжение между управляющими электродами и установлено необходимое напряжение между выходными электродами), переменный сигнал может быть подан на вход усилителя, а усиленный сигнал снят с его выхода.
Состояние, в котором находится усилительный элемент (УЭ), в нашем случае транзистор, при отсутствии на его входе усиливаемого сигнала, называется состоянием покоя. Постоянные токи и напряжения в состоянии покоя определяют на входной и выходной статических характеристиках точку покоя [1,2] (или согласно [3] исходную рабочую точку). Положение точки покоя характеризует режим работы усилительного элемента по постоянному току.
Токи и напряжения покоя устанавливают подачей соответствующих постоянных напряжений (или токов) от источника питания. Требуемый режим работы обеспечивается с помощью специальных цепей, называемых цепями питания. Последние обычно состоят из резисторов, реже диодов и индуктивностей. Через элементы цепей питания протекают постоянные токи транзистора.
Цепи питания должны удовлетворять двум основным требованиям:
они должны обеспечивать получение определённого режима работы, выражаемого через координаты точек покоя на входной (UОБ, IОБ) и выходной (UОК, IОК) статических характеристиках (рис.1);
при воздействии дестабилизирующих факторов не допускать заметного отклонения от заданного режима работы.
К дестабилизирующим факторам относят в первую очередь:
изменение температуры, поскольку транзистор представляет собой полупроводниковую структуру,
технологический разброс параметров транзистора и резисторов, обеспечивающих его питание,
изменение питающих напряжений.
13 EMBED AutoCAD.Drawing.16 1415
13 EMBED AutoCAD.Drawing.16 1415

Рис.1. Точки покоя А1 и А2 определяют режим работы транзистора
на входных а) и выходных б) статических характеристиках.

Необходимость сохранения режима работы вытекает из того, что при значительном изменении тока коллектора точка покоя может приблизиться к области отсечки или области насыщения, в результате чего возникают большие нелинейные искажения [4] при сколько-нибудь высоком уровне сигнала (рис.2). Более того, дело может дойти до потери работоспособности транзистора. При небольших отклонениях точки покоя от выбранного номинального значения отмеченные нежелательные явления минимальны.

В случае малого сигнала* уход точки покоя приводит лишь к изменению
дифференциальных параметров транзистора в первую очередь 13 EMBED Equation.3 1415const и 13 EMBED Equation.3 1415=13 EMBED Equation.3 1415Uкэ=const. Это изменение может быть ослаблено с помощью обратной связи (ОС) на переменном токе.

13 EMBED Photoshop.Image.7 \s 1415 Рис. 2 Ограничение сигнала в режиме отсечки а) и в режиме насыщения б)

Известно немало схем цепей питания и стабилизации биполярных транзисторов. Одной из распространённых схем цепей питания является схема с эмиттерной стабилизацией (рис.3). Эта схема относится к классу схем с автоматическим смещением. Они отличаются от схем с фиксированным смещением тем, что в них при изменении тока коллектора ток базы (или напряжение на базе) автоматически регулируется так, чтобы поддерживать заданный режим.
_________________________________________________________________
*Точного определения “малого сигнала” не существует. В [5] рекомендуется режимом малого сигнала называть режим, при котором вследствие изменения входного сигнала параметры УЭ меняются не более чем на 10%. Другим, менее строгим, но более наглядным признаком режима малого сигнала является тот факт, что амплитуды переменных составляющих токов и напряжений оказываются во много раз меньше постоянных составляющих этих же токов и напряжений. Приведенные соображения позволяют считать, что для расчета УЭ в режиме малого сигнала можно пользоваться дифференциальными параметрами, характеризующими УЭ в точке покоя (исходной рабочей точке).

Вследствие внешнего сходства расположения резисторов с буквой H (аш), в зарубежной литературе эта структура известна, как схема с H-смещением.

13 EMBED Photoshop.Image.7 \s 1415
Рис.3 Схема цепи питания с эмиттерной стабилизацией

В исходном (статическом) режиме в схеме текут от плюса источника питания + ЕК к его минусу следующие постоянные токи:
ток покоя коллектора IОК – через резистор RК, через транзистор от коллектора к эмиттеру;
ток покоя базы IОБ – через резистор RБ1, переход база-эмиттер к эмиттеру.
Вытекая из эмиттера эти два тока, образуют эмиттерный ток IОЭ=IОК+IОБ. Кроме этих токов в схеме протекает постоянный ток через
последовательно соединённые резисторы RБ1 и RБ2. Этот ток принято называть током делителя IД. Так как питание транзистора осуществляется от одного источника питания ЕК, напряжение на базу транзистора подается с делителя напряжения на резисторах RБ1 и RБ2 , а именно с резистора RБ2.
Ток эмиттера IОЭ, протекающий через резистор RЭ, создаёт на нём падение напряжения UЭ=IОЭ·RЭ.
Ток делителя создаёт на сопротивлении RБ2 падение напряжения URБ2=IД·RБ2. Это напряжение соответствует напряжению между базой и общим проводом UБ. В результате напряжение смещения база-эмиттер UОБ=UБ – UЭ=IД·RБ2–IОЭ·RЭ.
Необходимое напряжение смещения UОБ получают за счёт выбора соответствующих элементов делителя и сопротивления резистора RЭ. Обычно выбором RБ1 и RБ2 устанавливают ток делителя IД>>IОБ. Ток IД=(510)IОБ даёт право считать напряжение на базе транзистора фиксированным UБ=IД·RБ2=const.
Динамика процесса стабилизации в рассматриваемой схеме заключается в следующем.
Если под действием какого-либо дестабилизирующего фактора увеличивается ток коллектора IОК, то он вызывает рост эмиттерного тока IОЭ,
( ( ( это приводит к увеличению падения напряжения на резисторе RЭ.
UЭ=IОЭ·RЭ,
( ( ( увеличение напряжения на эмиттере UЭ до U'Э =UЭ+
·UЭ при
неизменном напряжении UБ приводит к уменьшению смещения
между базой и эмиттером UОБ = UБ U'Э =UБ–UЭ.
( ( ( уменьшение смещения на базе UОБ вызывает уменьшение
базового тока IОБ,
( ( ( уменьшение базового тока IОБ приводит к уменьшению тока
коллектора IОК.

Краткая запись такого процесса: IОКIОЭ UЭUОБIОБIОК.
Здесь наблюдаются два воздействия на ток коллектора: прямое, от дестабилизирующих факторов, и обратное - по цепи ОС. Обратите внимание на направления стрелок при IОК. Происходит автоматическая стабилизация тока покоя коллектора IОК.
Высокая стабильность достигается при глубокой ОС. Для этого следует строить звено базового делителя с меньшим номинальным значением сопротивлений RБ1 и RБ2, а в эмиттерной цепи использовать сопротивления RЭ с большими номинальными значениями. К сожалению, сопротивления базового делителя нельзя задавать слишком маленькой величины, так как это приведёт к уменьшению коэффициента усиления, входного сопротивления, и увеличению потребляемой мощности, а RЭ нельзя выбирать слишком большой величины, так как на нём теряется часть напряжения источника питания. Известна рекомендация [4]
RБ=RЭ · h21/10, (1)
где RБ - параллельное соединение RБ1 и RБ2 .
Для анализа стабилизирующих свойств схемы (рис.3) вспомним теорему об эквивалентном генераторе. Заменим принципиальную схему эквивалентной, показанной на рис.4. В соответствии с теоремой Тевенина [6]
ЕБ=ЕК·RБ2/(RБ1 + RБ2), (2)
RБ=RБ1·RБ2/ (RБ1 + RБ2).


13 EMBED Photoshop.Image.7 \s 1415
Рис.4 Схема с эмиттерной стабилизацией, преобразованная по Тевенину.

Для схемы, приведённой на рис4., можно написать равенство
ЕБ=IОБ·RБ + UОБ + IОЭ·RЭ.
При нормальной температуре в известном соотношении
·К=
·Б · h21 + IКЭО [7] можно пренебречь обратным током эмиттера IКЭО. Тогда ток покоя коллектора IОК=h21·IОБ.
Выражая ток эмиттера через ток базы IОЭ= IОБ(1+h21), получаем
IОБ=(EБ – UОБ)/[RБ+(1+h21)·RЭ] , 13 EMBED Equation.3 1415 (3)
IОК=h21(EБ – UОБ)/[RБ +(1+h21)RЭ] . (4)

Определение режима работы транзистора по значениям сопротивлений.
Существует два варианта анализа схемы автоматического смещения для определения положения точки покоя.

Вариант 1. Упрощённый метод анализа.
Он достаточно прост, проводится при минимальном использовании математического аппарата и знаний о параметрах транзистора, базируется только на представлении о напряжении база–эмиттер UОБ (для кремниевых транзисторов 0,7В, для германиевых транзисторов 0,4В).

Пример 1
Для схемы рис.5 определить значения токов покоя IОБ, IОК, IОЭ и напряжение покоя коллектор–эмиттер UОК при указанных на этом рисунке данных.
13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415

Решение
Резисторы RБ1 и RБ2 образуют делитель напряжения питания EК и определяют напряжение на базе UБ.
Без учета тока базы UБ=EК·RБ2/(RБ1+RБ2)=12В·10кОм/(51+10)кОм=1,967В,
Напряжение на эмиттере: UЭ=UБ – UОБ= (1,967– 0,7)В = 1,267В.
Теперь можно найти токи IОЭ и IОК:
IОЭ=UЭ/RЭ=1,267В/0,68кОм=1,86мА,
IОЭ
·IОК=1,86мА.
Напряжение на коллекторе (относительно общего провода):
UК=ЕК–IОКRК=12В – 1,86мА ·2кОм=8,28В.
Напряжение между коллектором и эмиттером (рис. 3):
UОК=UК – UЭ = 8,28В – 1,267В
·7В.

Вариант 2. Точный анализ.
Он базируется на уравнении Тевенина и более сложен, однако учитывает, что ток базы имеет место и создаёт падение напряжения на резисторе RБ1, а также то, что в схеме могут быть разные транзисторы с неодинаковыми параметрами h21.

Пример 2.
Повторить анализ схемы рис.5, используя эквивалентную схему рис.4 приняв h21=100
Решение:
Сначала применяем уравнения Тевенина (2) для цепи базы:
ЕБ=ЕкRБ2/(RБ1+RБ2)=12В ·10кОм/(51+10)кОм=1,967В,
RБ=RБ1 · RБ2/ (RБ1 + RБ2) =51кОм · 10кОм/ (51+10) кОм=8,36кОм.
Теперь можно провести анализ схемы, используя (3)
IОБ= (ЕБ – UОБ)/ [RБ + (1+ h21) RЭ].
При h21=100
IОБ=(1,967 – 0,7)В/[8,36 + (1+100)·0,68]кОм=16,44мкА,
IОК=IОБ · h21=16,44мкА · 100=1,644мА,
UОК=EК – IОК ·RК – IОЭ·RЭ =EК – IОК ·[RК+RЭ·(1+h21)/h21]=
=12В–1,644мА·[2+(101/100)·0,68]кОм=7,583В.


Определение сопротивлений цепей питания по заданной точке покоя

Этот расчёт производится в следующем порядке:
1. Выбираем напряжение источника питания ЕК и сопротивление коллекторной нагрузки RК.
2. Задаёмся напряжениями на эмиттере и коллекторе.
Напряжение на эмиттере обычно составляет 10–20% от ЕК. Напряжение на коллекторе обычно выбирается равным ЕК/2 или немного больше (например среднее значение между EК и UЭ). Падение напряжения на RЭ должно быть больше возможных изменений напряжения UБЭ, но не настолько большим, чтобы заметно уменьшить амплитуду выходного сигнала. Для напряжения на коллекторе имеет место условие UЭ 3. Исходя из заданных значений, определяем RЭ.
4. Выбираем приемлемое значение h21 транзистора.
5. Используя соотношение (2), определяем RБ и ЕБ.
6. Преобразовав выражения для RБ и ЕБ получаем RБ1 =RБ·ЕК/ЕБ,
RБ2=RБ/(1–ЕБ/ЕК).

Пример 3

Рассчитать схему с автоматическим смещением подобную схеме рис.5, если ЕК=12В, RК=2кОм, а h21=150.

Решение:

Сначала определяем значение UК. Допустим что, UК=9В. Тогда падение напряжения на RК равно URK = ЕК – UК=12В– 9В=3В.
Теперь проведём расчёт тока покоя коллектора:
IОК=URК/RК=3В/2кОм=1,5мА.
Ток покоя эмиттера:
IОЭ= IОК ·(1+h21)/h21=1,5мА(101/100)=1,515мА.
Ток покоя базы:
IОБ=IОК/h21=1,5мА/150=10мкА.
Выбрав напряжение эмиттера UЭ=1,7В, определяем напряжение покоя коллектор–эмиттер UОК=UК–UЭ=9В–1,7В=7,3В и сопротивление RЭ=UЭ/IОЭ= 1,7В/1,515мА=1,12кОм.
Согласно рекомендациям (1) RБ=RЭh21/10=1,12кОм · 150/10=16,8кОм
ЕБ=UЭ + UОБ + IОБRБ=1,7В + 0,7В + 10мкА · 16,8кОм = 2,568В,
RБ1= RБЕК/ЕБ = 16,8кОм 12В/2,568В = 56кОм,
RБ2 = RБ/ (1–ЕБ/ЕК) = 16,8кОм/ (1–2,568В/12В) = 13,2кОм.
Точка покоя в плоскости входных статических характеристик iБ=f(uБ) определена. Её координаты UОБ = 0,7В, IОБ =10мкА.
В плоскости выходных статических характеристик iк=f(uк)
точка покоя имеет координаты UОК=7,3В, IОК=1,5мА.

Пример 4
Рассчитать схему с эмиттерной стабилизацией (рис.3) на заданную точку покоя (UОК=6В, IОК=2мА) при EК=12В, h21=150


Решение.
Выбираем напряжение эмиттера UЭ=0,2EК=0,2·12=2,4В
Напряжение UК=UЭ+UОК=2,4+6=8,4В,
Напряжение URК=EК – UК=12–8,4=3,6В.
Сопротивление RК=URК/IОК=3,6В/2мА=1,8 кОм,
RЭ=UЭ/IОЭ
·UЭ/IОК
·2,4В/2мА=1,2кОм.
Рассчитываем сопротивления базового делителя:
RБ=RЭ·h21/10=1,2кОм·150/10=18кОм,
IОБ=IОК/h21=2мА/150=13мкА,
ЕБ=UЭ+UОБ+IОБRБ=2,4В+0,7В+13мкА·18кОм=3,34В,
RБ1=RБ·EК/EБ=18кОм·12В/3,34=64,67кОм,
RБ2=RБ/(1–EБ/EК)=18кОм/(1–3,34/12)=13кОм,

Построение нагрузочных линий постоянному току.
На входных статических характеристиках нагрузочная линия строится по уравнению, полученному на основе закона Кирхгофа для базовой цепи (рис.4) ЕБ = IБ ·[RБ+ (1 + h21)·RЭ] + UБ.
Представленное в виде
13 EMBED Equation.3 1415,
оно позволяет понять, что эта зависимость соответствует прямой линии вида y=ах+в. Для построения нагрузочной линии рекомендуется использовать два режима [8]: режим холостого хода IБ=0 и режим короткого замыкания UБ=0
При IБ=0 UБ=ЕБ, и координаты крайней правой точки Х на нагрузочной линии (рис. 1,а) принимают значения (ЕБ ; 0)
При UБ=0 IБ(Y)=EБ/[RБ+(1+h21)·RЭ], тогда координаты крайней левой
точки Y
·на нагрузочной линии (0; IБ(Y)).

Пример 5
Построить нагрузочную линию на входных статических характеристиках и указать на ней точку покоя по данным примера 3.

Решение
Координаты крайней правой точки нагрузочной линии Х (2,568В; 0мкА). При напряжении на базе UБ = 0 получаем ток IБ(Y)=EБ/[RБ+(1+h21)·RЭ]=
=2,568В/[16,8кОм+(1+100)·1,12кОм]=19,76мкА.
Координаты точки Y (0В; 19,76мкА).

13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415
Рис.6 Нагрузочная линия на входных статических характеристиках.

Рисунок 6 иллюстрирует построение нагрузочной линии в плоскости входных статических характеристик. Точка пересечения нагрузочной прямой с входной характеристикой транзистора при заданном UКЭ определяет ток базы и напряжение между базой и эмиттером что соответствует координатам точки покоя А (0,7В; 10мкА), полученным в примере 3.
Особенностью входных статических характеристик является то, что ток базы
·Б слабо зависит от напряжения UКЭ. Это приводит к тому что семейство кривых
·Б=
·(UБ) при UКЭ
·0 на практике сливается и превращается в одну линию [8]. В справочниках обычно приводят две кривые: при UКЭ=0 и при UКЭ
·0 (чаще всего это 5B). Естественно, для расчета усилительного каскада используется только одна из них, а именно при UКЭ
·0 (рис. 1,а).


Пример 6
Повторить пример 5 для транзисторов с h211=75 и h212=300.
Решение:
h211=75
При UБ=0 IБ(Y) = 2,568В/[16,8кОм+(1+75)1,12кОм]=25,2мкА
Координаты точки Y (0В; 25,2мкА), координаты точки Х(2,568В; 0мкА)
Определяем ток покоя базы IОБ=(EБ – UОБ)/[RБ+RЭ·(1+h21)]=
(2,568–0,7)В/[16,8кОм+(1+75)·1,12кОм]=18,3мкА.
Это даёт координаты точки покоя А1 (0,7В; 18,3мкА).

2. h212=300

Координаты точки Y (0В; 7,2мкА), координаты точки Х (2,568В; 0мкА)
Координаты точки покоя А2 (0,7В; 5,3мкА).

На рис.7 изображены нагрузочные линии, построенные по данным примеров 6 и 5. Штрих - пунктирная линия повторяет нагрузочную линию из рис.6.

13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415
Рис. 7 Нагрузочные линии на входных статических характеристиках при различных h21

В плоскости выходных статических характеристик (рис.1б) нагрузочная линия строится по уравнению, полученному на базе закона Кирхгофа для выходной цепи, ЕК=IК·RК+UКЭ+IЭ·RЭ. Можно показать, что это уравнение также соответствует прямой линии вида y= ах+ в. Для определения крайних точек нагрузочной прямой запишем его в виде:
IК= –UОК/[RК+RЭ·(1+h21)/h21] + EК/[RК+RЭ·(1+h21)/h21].
Координаты точки X (рис.1,а) определяются при IК=0, тогда точка Х получает координаты (ЕК; 0). Координаты левой крайней точки Y определяются при UКЭ=0, и они равны ( 0; IК(Y)), где
IК(Y)= ЕК/[RК + RЭ·(1+h21)/h21].


Пример 7
Построить нагрузочную линию в плоскости выходных статических характеристик и указать на ней точку покоя по данным примера 3.

Решение

Координаты точки Х (12В; 0мА).
Координаты точки Y (0В, IК(Y)= 12В/[2кОм + 1,12кОм ·101/100] =3,83мА), По данным примера 3 координаты точки покоя А (UОК=7,3В; IОК=1,5мА).

Рисунок 8 иллюстрирует результаты расчётов по примерам 3 и 7

13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415
Рис.8 Нагрузочная линия в плоскости выходных статических характеристик.

Пример 8
Повторить пример 7 для транзисторов с h211=75 и h212=300.
Решение:
1. h211=75
Координаты точки Х (12В; 0мА), координаты точки Y (0В; 3,83мА), так как (1+h21)/h21
·1.
Координаты крайних точек нагрузочной линии практически совпадают с данными примера 7. Ток коллектора можно определять по выражению IК(Y)
·EК/(RК+Rэ).
Координаты точки покоя связаны с током покоя базы IОБ1=18,3мкА из примера 6.
IОК1=IОБ1·h211=18,3мкА ·75=1,37мА,
IОЭ1=(1+h211)IОК1/h211=(1+75) · 1,37мА/75=1,388мА,
UОК=ЕК – [RК ·IОК1 + IОЭ1Rэ]=12В – [2кОм ·1,37мА + 1,388мА ·1,12кОм]=7,7В.
Точка покоя А1 имеет координаты (7,7В ; 1,37мА).

h212=300

Нагрузочная линия совпадает с другими. Определяем координаты точки покоя:
IОК2=IОБ2 · h212=5,3мкА ·300=1,59мА.
При большом h21 IОК
· IОЭ, тогда
UОК2
· ЕК – IОК2 ·(RК + RЭ)= 12В – 1,59мА (2кОм + 1,12кОм)
· 7,04В.
Точка покоя А2 имеет координаты (7,04В; 1,59мА).

На рис.9 изображены нагрузочные линии в плоскости выходных статических характеристик с точками покоя при различных h21 из примеров 7 и 8.
13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415

Рис.9 Нагрузочная линия и точки покоя по данным примеров 6 и 8.

Рисунки 7 и 9 являются наглядной иллюстрацией автоматического смещения. Видно, почему при большом изменении параметра транзисторов h21 ток покоя коллектора Iок меняется лишь на несколько процентов. В примере двукратное изменение h21 вызывает изменение тока покоя менее 10%. Из рис.7 видно, что увеличение h21 вызывает уменьшение тока базы, и это существенно препятствует пропорциональному h21 увеличению тока покоя коллектора. Одновременно с этим изменением тока базы изменяется и напряжение база-эмиттер, которое задаётся пересечением нагрузочной прямой с нелинейной статической характеристикой. В примерах расчётов это не было учтено и смещение везде было принято UОБ=0,7В.
Нет никакой гарантии, что полученный в расчётах ток покоя IОБ, будет соответствовать на входной характеристике транзистора именно смещению в 0,7В. Корректнее было бы учитывать связь тока базы и напряжения на базе транзистора, используя формулу Эберса-Молла. Однако в этом случае не только усложняется математика, но, главное, требуется ещё не менее трёх параметров транзистора и зависимость h21 от тока базы. Получить необходимую информацию довольно трудно. Точность расчётов при этом возрастёт незначительно (если Вы не являетесь разработчиком интегральных микросхем). По этой причине можно считать используемую методику приемлемой в инженерной практике и учебном процессе. Правильность выбора UОБ и h21 легко проверить экспериментально.

Линия нагрузки для переменной составляющей
До сих пор мы строили линии нагрузки для постоянного тока. При подаче переменного сигнала на вход усилителя, кроме постоянного тока, через транзистор и элементы схемы протекает ещё и переменный ток. В подавляющем большинстве случаев пути прохождения переменного тока отличаются от путей прохождения постоянного тока. По этой причине нагрузка переменному току отличается от нагрузки постоянному току, а нагрузочная линия переменному току занимает иное положение, чем нагрузочная линия постоянному току.
Когда сигнал переменного напряжения подан на вход схемы, напряжения и токи изменяются по линии нагрузки для переменного тока. Линия нагрузки для переменного тока должна проходить через точку покоя А (UОК; IОК), но её наклон определяется величиной сопротивления нагрузки переменному току Rн~.13 EMBED Equation.3 1415
На рис.10 показана принципиальная схема каскада транзисторного усилителя с автоматическим смещением и эмиттерной стабилизацией.
13 SHAPE \* MERGEFORMAT 1415
Элемент R1И отражает внутреннее сопротивление источника сигнала e1,
R2Н – сопротивление внешней нагрузки.

Рис.10 Принципиальная схема усилительного каскада с ОЭ.

Входной переменный сигнал e1 поступает на базу транзистора через разделительный конденсатор Ср1, а выходной сигнал U2 поступает в нагрузку через разделительный конденсатор Ср2, который не пропускает постоянную составляющую в R2н. Конденсатор большой емкости СЭ шунтирует эмиттерный резистор для того, чтобы на эмиттере не появилось переменное напряжение. Без СЭ коэффициент усиления упадет из-за отрицательной ОС, поскольку переменное напряжение на резисторе RЭ вычитается из входного сигнала и на вход транзистора б-э поступает меньшее напряжение UБ-Э=UБ – UЭ
Для анализа усилителей на переменном токе используются эквивалентные схемы, в которых все точки, имеющие неизменяемый потенциал по постоянному току, рассматриваются как имеющие нулевой потенциал для переменной составляющей. В области средних частот, на которых и принято строить нагрузочную линию переменному току, влияние конденсаторов на работу схемы можно не учитывать, т.е. можно считать, что все конденсаторы имеют большую ёмкость, являются идеальными и для переменной составляющей представляют короткозамкнутую цепь, а для постоянной составляющей – разомкнутую. Вследствие этого на эквивалентной схеме для переменного тока (рис.11а) R1И соединен с базой, а R2Н – с коллектором транзистора, эмиттер соединён с общим проводом (заземлён) благодаря конденсатору СЭ, который имеет большую величину ёмкости, а следовательно, практически нулевое сопротивление переменному току.
Источники питания постоянного тока обычно обладают большой ёмкостью, которая для переменного сигнала представляет короткозамкнутую цепь. Вследствие нулевого сопротивления источника питания EК переменному току, точка “а” соединяется с общим проводом.



а) б)
Рис.11 Эквивалентная схема для переменного тока усилителя с ОЭ, выполненного по схеме рис.10

На эквивалентной схеме рис.11б показаны пути прохождения входного переменного тока
·вх и пути прохождения выходного переменного тока


·вых. В выходной цепи переменная составляющая коллекторного тока проходит через сопротивление RК и сопротивление внешней нагрузки R2Н. Эти сопротивления включены параллельно и образуют эквивалентное сопротивление нагрузки переменному току RН~=RК·R2Н/(RК+R2Н). Оно и определяет наклон нагрузочной линии переменному току. Поскольку сопротивление нагрузки переменному току Rн~ меньше сопротивления нагрузки постоянному току RН= = RК + RЭ, нагрузочная линия переменному току пройдёт через точку покоя с большей крутизной, чем нагрузочная линия постоянному току.
Уравнение для нагрузочной линии переменному току может быть получено из алгебраического выражения для наклонной линии вида _ – _1= m (х –x1), где х1, _1– точки на линии, а m – её наклон. Для схемы на биполярном транзисторе это уравнение удобно представить в виде IОК –iК1= (UОК – uк1)/Rн~.
Через приращение тока коллектора
·
·К=IОК–
·К1 выражаем приращение напряжения
·uК=UОК–uК1 и получаем уравнение нагрузочной линии переменному току
·
·кRн~ = –
·uК.



Пример 9
На рис.8 изображена нагрузочная линия постоянному току при RК=2кОм, RЭ=1,12кОм и указана точка покоя А с координатами UОК=7,3В, IОК=1,5мА Построить нагрузочную линию для переменного тока при сопротивлении внешней нагрузки R2Н = 3кОм.

Решение:
Определяем эквивалентное сопротивление нагрузки выходному переменному току RН~=RК · R2н/(RК + R2н) = 2кОм · 3кОм/(2 + 3)кОм=1,2кОм.
Линия нагрузки переменному току должна проходить через точку покоя А и иметь наклон
·iК/
·uК = –1/R Н~ .
Выбирая
·
·К или
·uК найдём координаты другой точки, через которую пройдёт нагрузочная линия переменному току.

Расчет:
Вариант 1. Задаем приращение тока коллектора.
Пусть
·iк=1мА, тогда
·uк = –
·
·к · Rн~ = – 1мА · 1,2кОм= – 1,2В
Координаты точки А' на нагрузочной линии переменному току:
I'К=IОК +
·
·к=1,5мА + 1мА=2,5мА,
U'К=UОК +
·uК=7,3В–1,2В=6,1В.

Вариант 2. Задаем приращение коллекторного напряжения.
Пусть
·uк=1,2В, тогда
·
·к= –
·uк/Rн~ = – 1,2В/1,2кОм= – 1мА.
Координаты точки А'':
U''К= UОК +
·uК=7,3В + 1,2В=8, 5В; І''К = IОК+
·
·к=1,5мА – 1,0мА=0,5мА.
Нагрузочную линию переменному току можно провести через точку покоя А и любую из двух других А' или А''.

13 EMBED Photoshop.Image.7 \s 1415
Рис.12 Линии нагрузки для постоянного и переменного тока по данным примеров 5,6,9.

Построение:

Таким образом, если ток
·к увеличится на 1 мА и будет равен 2,5мА, то uк уменьшится на 1,2В и будет равно 6,1В. Точка А' с координатами
uК =6,1В,
·к=2,5мА является одной из точек , принадлежащих линии нагрузки для переменного тока. Соединив эту точку с точкой покоя А, получим нагрузочную линию для переменного тока (рис.12).
Нагрузочную линию переменному току можно построить также соединив точку покоя А с точкой А'' с координатами (UК=8,5В; Ік=0,5мА).
Заметим, что линия нагрузки переменному току задаёт размах наибольшего переменного напряжения на коллекторе транзистора. Точка Ах имеет координаты:
UК(Х)=UОК +
·UК=UОК +
·ІОК · RН~ = 7,3В + 1,5мА · 1,2кОм=9,1В ; ІК=0.
Размах сигнала uкm=UКХ – UОК=9,1–7,3=1,8В. В данном случае ограничение амплитуды сигнала произойдет в точке Ах. При малой величине напряжения покоя UОК на коллекторе транзистора ограничение может возникать слева (при uк=0).При проектировании оконечных каскадов приходится решать задачу выбора точки покоя, чтобы получить максимальное неискажённое напряжение сигнала (слева и справа).


Литература
Войшвилло Г.В Усилительные устройства: Учебник для вузов – М.: Радио и связь. 1983
Головин О.В., Кубицкий А.А Электронные усилители: Учебник для техникумов связи. – М.: Радио и связь, 1983
Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств : Учебник для вузов – М.: Горячая линия – Телеком, 2001
Гринфилд Дж. Транзисторы и линейные ИС: Руководство по анализу и расчёту: пер. с английского – М.: Мир.1992
Мурадян А.Г и др. Усилительные устройства – М.: Связь, 1976
Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств /Под ред.А.А.Ровдо – М.: Издательский дом «Додека ХХІ» 2001
Бойко В.И и др. Схемотехника электронных систем : Аналоговые и импульсные устройства – СПб.: БХВ-Петербург.2004
Захаров И.А Электроника в технике почтовой связи: Учебник для вузов – М.: Радио и связь, 1995













13PAGE 14115


13PAGE 14115










U2

7,04B

КТ361Б

12В

680



51к

10к

Рис.5 Схема к примерам 1,2.

UБЭ,В

EБ=2,568В

X

IОБ=10мкА

A

IБY=19.76мкА

Y


мкА

X

UКЭ,В

EK=12B

UOK=7,3В

1,5


IOK

А

3,83

IОБ=10мкА

IKY

IК,мА





















CР2

R2H





RБ2

a

EK

RK

RБ1

СР1

R1И

e1



IБ,
мкА

0.7B

EБ=2,568












0

Х

UБЭ,В

25,2мкА

h21=300

h21=150

h21=75

A2

A

A1

Y2

Y

Y1








7.7B



UOK=7.3B

1,37мА

1.59мА

1.5мА


3,83мА

Y

E=12B

X

А2

A

A1

IOK

IK

UK






Y

13 EMBED Photoshop.Image.7 \s 1415






























Root Entry

Приложенные файлы

  • doc 11316607
    Размер файла: 716 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий